CN119480650A 多层堆叠存储芯片的封装方法及系统 （广东长兴半导体科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119480650A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202411611481.X

(22)申请日2024.11.12

(71)申请人广东长兴半导体科技有限公司

地址523808广东省东莞市松山湖园区科

技九路2号2栋101室、201室、301室、

501室

(72)发明人张治强郭东林牛玉雷李子忻

(74)专利代理机构深圳珠峰知识产权代理有限

公司44899

专利代理师张超

(51)Int.Cl.

H01L21/56(2006.01)

H01L21/60(2006.01)

H10B80/00(2023.01)

权利要求书4页说明书15页附图2页

(54)发明名称

多层堆叠存储芯片的封装方法及系统

(57)摘要

CN119480650A本发明涉及微电子封装技术领域，揭露了一种多层堆叠存储芯片的封装方法，包括：构建待封装存储芯片的3D封装结构布局；构建3D封装结构布局的物理场，将物理场和所述场作用关系集成至3D封装结构布局中，得到耦合3D封装结构布局；计算耦合3D封装结构布局的热点、高应力区以及高电场区，对耦合3D封装结构布局进行优化，得到目标封装结构布局；对待封装存储芯片进行多层堆叠，得到多层堆叠存储芯片；对多层堆叠存储芯片进