贵州大学《集成电路制造工艺》ppt课件 8 光刻.pptx

;;1、光刻的定义

光刻技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂（又名光刻胶）将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。其主要过程为：

首先光源通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应；

然后通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶（前者称正性光刻胶，后者称负性光刻胶），使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上；

最后利用刻蚀技术将图形转移到基片上。;3、光刻的目标

根据电路设计要求，生成尺寸精确的特征图形。

在晶圆表面正确定位图形，包括套刻准确。;1、光刻胶的组成、分类;;;灵敏度：光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。单位：毫