原创力文档硅热氧化工艺;为什么硅是目前所有半导体材料中应用最为成功的材料？;目标：;1、二氧化硅的结构;AmorphousSiO2film;4个O原子位于正四面体的顶点，Si位于四面体中心。;■介电强度高：10MV/cm
?最小击穿电场(非本征击穿)：由缺陷、杂质引起
?最大击穿电场(本征击穿)：由SiO2厚度、导热性、界面态电荷等决定；
氧化层越薄、氧化温度越低，击穿电场越低;■在一定温度下，能和强碱(如NaOH，KOH等)反应，也有可能被铝、氢等还原。
高温与活泼金属或非金属作用
;■B、P、As等常
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