Micro LED在光通信领域应用的行业研究报告：“光进铜退”趋势下Micro LED发展机遇.pptxVIP

成本高昂、扩展性差，难以规模化部署；VCSEL光互连虽实现光电转换，但单通道速率瓶颈明显，高阶调制推高功耗，无法支撑海量并行通信；硅光CPO依赖激光器与硅基调制器，耦合难度大、封装成本高，更适配中长距场景，非超短距最优解。整体来看，现有技术普遍存在功耗占比过高、带宽增长受限、信号完整性不足、散热承压等共性问题，成为单节点算力扩容的核心制约。

MicroLED以宽而慢并行光互连架构，成为该场景颠覆性方案。其采用微米级MicroLED阵列光源通过TIR透镜耦合进入多芯光纤，摒弃激光光源与复杂调制器件，通过低速率并行通道叠加实现超高带宽，核心优势突出：单位比特能耗仅1~2pJ/bit，远优于传统方案，根治高密度散热难题；MicroLED同样适配共封装结构，可使端到端时延低至80~150ns，满足紧耦合协同需求；并行传输无电磁串扰，带宽可线性扩展，适配多GPU集群扩容；器件结构简化带来显著成本下降空间，天然具备故障冗余，可靠性优势明显，在超短距场景适配性无可替代。

MicroLED互连精准破解ScaleUp互联核心痛点，契合下一代高密度算力架构方向，国内具备完整产业链基础，中长期国产化替代与产业放量空间广阔，是AI光互连赛道核心优质方向。建议以下相关供应链环节：MicroLED芯片、TIR透镜、光学棱镜和透镜、CIS传感器等