CN119603965A 存储器结构及其形成方法 （中芯国际集成电路制造(北京)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119603965A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202311148864.3

(22)申请日2023.09.06

(71)申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

地址100176北京市大兴区经济技术开发

区文昌大道18号

申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限

公司

(72)发明人胡生民

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限

公司11227

专利代理师吴敏

(51)Int.Cl.

H10B41/30(2023.01)

H10D64/27(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

权利要求书2页说明书6页附图4页

(54)发明名称

存储器结构及其形成方法

(57)摘要

CN119603965A本发明提供一种存储器结构及形成方法，其中存储器结构包括：衬底，衬底包括浮栅区、分布位于浮栅区两侧的擦除区和字线栅区；位于擦除区上的擦除栅结构；位于浮栅区上的浮栅结构、以及位于浮栅结构上的控制栅结构；位于字线栅区上的字线栅结构，浮栅结构位于擦除栅结构和字线栅结构之间；位于字线栅结构和浮栅结构之间的空隙，利用空隙的存在避免字线栅结构和浮栅结构之间发生漏电的现象，且降低了由于寄生

CN119603965A

CN119