CN119743959A 一种基于sonos工艺的mos电容制作方法 （上海华力集成电路制造有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119743959A

(43)申请公布日2025.04.01

(21)申请号202311255818.3

(22)申请日2023.09.26

(71)申请人上海华力集成电路制造有限公司

地址201203上海市浦东新区康桥东路298

号1幢1060室

(72)发明人赵鹏

(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限

公司31211

专利代理师戴广志

(51)Int.Cl.

H10D1/66(2025.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种基于SONOS工艺的MOS电容制作方法

(57)摘要

CN119743959A本发明提供一种基于SONOS工艺的MOS电容制作方法，提供半导体结构，半导体结构包括SONOS单元区、MOS电容区和其他器件区域；在半导体结构上形成栅氧层，栅氧层覆盖SONOS单元区、MOS电容区和其他器件区域；去除SONOS单元区以及MOS电容区上的栅氧层；在其他器件区域上的栅氧层以及SONOS单元区、MOS电容区上形成ONO膜层；刻蚀去除其他器件区域上的ONO膜层，保留SONOS单元区、MOS电容区上的ONO膜层。本发明的方法使得MOS电容区保留ONO膜层，基于需求对SONOS电容做写入操作以提高MOS电容自身阈值电压，降低电容在积累