CN119789458A 一种低阻分离沟槽栅碳化硅vdmos及其制备方法 （泰科天润半导体科技（北京）有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119789458A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202510267498.6

(22)申请日2025.03.07

(71)申请人泰科天润半导体科技（北京）有限公司

地址101300北京市顺义区中关村科技园

区顺义园临空二路1号

(72)发明人李昀佶周海施广彦何佳

(74)专利代理机构福州市京华专利代理事务所(普通合伙)35212

专利代理师刘晓明

(51)Int.Cl.

H10D30/01(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

H10D64/23(2025.01)

H10D64/01(2025.01)

H10D30/66(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D62/13(2025.01)

权利要求书1页说明书5页附图13页

(54)发明名称

一种低阻分离沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备

方法

(57)摘要

CN119789458A本发明提供了一种低阻分离沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型源区、低阻区、P型阱区及N型源区；重新形成