CN119789413A 半导体结构、存储器及其制造方法、电子设备 （北京超弦存储器研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119789413A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202311287570.9

(22)申请日2023.10.07

(71)申请人北京超弦存储器研究院

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区科创十街18号院11号楼四层

401室

(72)发明人戴瑾梁静余泳李志轩

(74)专利代理机构北京市立方律师事务所11330

专利代理师陈振玉

(51)Int.Cl.

H10B12/00(2023.01)

权利要求书2页说明书11页附图22页

(54)发明名称

半导体结构、存储器及其制造方法、电子设

备

(57)摘要

CN119789413A本申请实施例提供了一种半导体结构、存储器及其制造方法、电子设备。本申请涉及半导体技术领域。该半导体结构包括半导体层、栅极绝缘层和栅极。半导体层包括源极区、第一沟道区和漏极区，第一沟道区设置于源极区和漏极区之间，栅极位于第一沟道区的至少一侧，栅极绝缘层位于第一沟道区与栅极之间；沿第一沟道区的延伸方向，栅极绝缘层的一端形成栅极与至少部分的源极区之间的隔离，和/或栅极绝缘层的另一端形成栅极与至少部分的漏极区之间的隔离。本申请实施例增加有效沟道区的长度，能够抑制

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