CN119789423A 半导体结构及其制备方法 （长鑫科技集团股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119789423A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202510281055.2

(22)申请日2025.03.11

(71)申请人长鑫科技集团股份有限公司

地址230601安徽省合肥市经济技术开发

区空港工业园兴业大道388号

(72)发明人曹堪宇黎冠杰孟皓吴楠

(51)Int.Cl.

H10B12/00(2023.01)

权利要求书3页说明书13页附图11页

(54)发明名称

半导体结构及其制备方法

(57)摘要

CN119789423A一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构的制备方法包括：形成位于衬底上的叠层结构；在叠层结构中形成第一隔离结构、牺牲结构和填充层，图形化第一半导体层以形成阵列排布的初始有源图案，第一隔离结构包括第一隔离部和第二隔离部，第一隔离部沿第二方向的尺寸大于第二隔离部沿第二方向的尺寸，沿第二方向相邻的第一隔离部相接触；去除部分填充层并形成初始字线层；去除牺牲结构以分别形成位线槽和电容槽，图形化初始有源图案为有源结构，图形化初始字线层为字线结构；在位线槽和电容槽中分别形成位线结构和电容结构，位线结构和电容结构在第一方向上交替排布且在第二方向上交替排布。上述半导体结构的制备方法简化了字线

CN119789423