CN119789430A 存储器结构及其制造方法 （联华电子股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119789430A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202311286186.7

(22)申请日2023.10.07

(71)申请人联华电子股份有限公司地址中国台湾新竹市

(72)发明人薛仁扬陈建宏陈自平黄嘉晖王佳文徐治旸周怜秀

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105

专利代理师王锐

(51)Int.Cl.

H10B43/35(2023.01)

H01L21/28(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图8页

(54)发明名称

存储器结构及其制造方法

(57)摘要

CN119789430A本发明提供一种存储器结构及其制造方法。所述存储器结构包括第一栅极、第二栅极、介电突起、第一间隔件、电荷存储层、栅介电层、高介电常数层以及掺杂区。所述第一栅极与所述第二栅极设置于衬底上。所述介电突起设置于所述第一栅极与所述第二栅极之间的所述衬底上。所述第一间隔件设置于所述介电突起的侧壁上。所述电荷存储层设置于所述第一栅极与所述衬底之间。所述栅介电层设置于所述第二栅极与所述衬底之间。所述高介电常数层设置于所述第一栅极与所述电荷存储层之间以及所述第二栅极与所述栅介电层之间。所述掺杂区设置于所述第一栅极的两侧以及所述第二栅极