CN119789433A 一种新型三维存算一体芯片阵列结构及其制备方法 （电子科技大学长三角研究院(湖州)）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119789433A

(43)申请公布日2025.04.08

(21)申请号202510274964.3

(22)申请日2025.03.10

(71)申请人电子科技大学长三角研究院（湖州）

地址313000浙江省湖州市吴兴区西塞山

路819号科技创新综合体B1幢

(72)发明人郑朝月叶猛张轩恺张符融黄乐天

(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限

公司44202

专利代理师黄有娣

(51)Int.Cl.

H10B43/35(2023.01)

H10B43/40(2023.01)

H10B43/50(2023.01)

权利要求书2页说明书8页附图4页

(54)发明名称

一种新型三维存算一体芯片阵列结构及其

制备方法

(57)摘要

CN119789433A本发明属于但不限于算力芯片领域，尤其涉及一种新型三维存算一体芯片阵列结构及其制备方法，拥有一层存储单元层，该存储单元层内包含多个存储单元，用于数据存储；基于NOR架构的存储阵列可以对任意单元进行访问从而进行计算任务；通过将存储单元用于计算任务实现存算一体减少了数据传输带来的能耗，通过优化互联通道的设计，降低了信号传输延迟，从而提升整体性能，控制模块用于对每个NOR型存储单元进行精准控制，通过优化