CN119816918A SiC单晶转印用复合衬底、SiC单晶转印用复合衬底的制造方法、以及SiC接合衬底的制造方法 （株式会社希克斯）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119816918A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202380058020.1

(22)申请日2023.07.31

(30)优先权数据

2022-1282052022.08.10JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.02.06

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2023/0279542023.07.31

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/034450JA2024.02.15

(71)申请人株式会社希克斯地址日本

(72)发明人寺岛彰

(74)专利代理机构北京聿宏知识产权代理有限

公司11372

专利代理师吴大建霍玉娟

(51)Int.Cl.

H01L21/02(2006.01)

权利要求书2页说明书14页附图6页

(54)发明名称

SiC单晶转印用复合衬底、SiC单晶转印用复合衬底的制造方法、以及SiC接合衬底的制造方法

(57)摘要

CN119816918A本发明提供如下SiC单晶转印用复合衬底、SiC单晶转印用复合衬底的制造方法、以及SiC接合衬底的制造方法：通过改善反复用于SiC接合衬底的制造过程中的SiC单晶衬底的翘曲而抑制SiC单晶衬底的搬运错误、不能将SiC单晶衬底保持于加工台