CN119816919A 采用利用高密度自由基氮化界面的技术的薄膜生成方法 （Eq泰科普勒斯株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119816919A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202380066290.7

(22)申请日2023.06.19

(30)优先权数据

10-2022-01243692022.09.29KR

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.03.14

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/KR2023/0084262023.06.19

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/071573KO2024.04.04

(71)申请人EQ泰科普勒斯株式会社地址韩国京畿道水原市

(72)发明人申东和金容源

(74)专利代理机构北京铭硕知识产权代理有限

公司11286

专利代理师姜长星李盛泉

(51)Int.Cl.

H01L21/02(2006.01)

H01L21/28(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

采用利用高密度自由基氮化界面的技术的

薄膜生成方法

(57)摘要

CN119816919A根据本发明的一实施例，本发明提供一种利用沉积装置生成氧化膜的方法，包括：步骤（a），在基板上沉积由氮化膜构成的第一薄膜；步骤（b），通过向所述第一薄膜喷射OH自由基来氧化所述第一薄膜，从而在所述第