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低温环境下FinFET器件辐射效应的仿真研究.pdf

低温环境下FinFET器件辐射效应的仿真研究.pdf

    摘要

    随着微纳米器件在航空和军事等领域的应用，在低温条件下，三维三栅结构对辐射

    效应的耐受特性已经成为关键研究课题。器件材料本征参数对集成电路性能有决定性作

    用，研究表明：环境温度参数与辐射诱导效应之间存在关联性，具体表现为温度梯度变

    化会显著影响电荷俘获截面、载流子寿命衰减速率以及界面漏电流等电学特性。低温环

    境广泛存在于航空航天、深空勘测、低温物理实验等各个领域。在这些应用中，FinFET

    器件面临复杂的辐射环境，包括总剂量辐射和单粒子效应等。因此，研究其在低温下的

    辐射效应，对于确保极端环境下

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