集成电路可靠性设计与评价 课件03-2与封装有关的失效机理.pptx

集成电路可靠性设计与评价

第三章3.2节与封装有关的失效机理

3.2、与封装有关的失效机理3.2.1、封装材料α射线引起的软误差3.2.2、水汽引起的分层效应3.2.3、金属化腐蚀3.2.4、键合引线失效3.2.5、3D封装电路的常见失效机理

3.2、与封装有关的失效机理3.2.1封装材料α射线引起的软误差放射性杂质来源铀(U)或钍(Th)等放射性元素是集成电路封装材料中天然存在的杂质，这些材料发射的α粒子可使集成电路发生软误差。物理作用过程α粒子进入硅中，在粒子经过的路径上产生电子-空穴对电子-空穴对在电场作用下被电路结点收集引起电路误动作，导致存储电荷丢失或信息翻转

软误差的改进