衬底温度对脉冲激光沉积在Si衬底上的ZnCoO薄膜的影响.docVIP

  衬底温度对脉冲激光沉积在 Si 衬底上的 ZnCoO 薄膜的影响# 姜守振，王传超，满宝元，许士才** 5 10 15 20 25 30 35 40 （山东师范大学物理与电子科学学院，济南 250014） 摘要：在不同的衬底温度下在 n 型 Si（111）衬底上采用脉冲激光沉积的方法生长了（002） 择优取向的具有室温铁磁性的 Zn0.95Co0.05O 薄膜。X 射线衍射和 X 射线光电子能谱测试表 明薄膜中出现的室温铁磁性不是由于 Co 团簇产生的。由于低的衬底沉积温度产生的 Zn 间隙、 O 空位以及晶格缺陷对铁磁性有显著的影响。通过改变衬底温度可以来控制薄膜中 Zn 间隙、 O 空位及晶格缺陷的数量，薄膜的铁磁性同时也可以被明显地改变。这是缺陷与薄膜的室温 铁磁性相关的直接证据。 关键词：脉冲激光沉积；温度；ZnCoO；铁磁 中图分类号：O782 TN304 Effect of the growth temperature on the ZnCoO films on Si substrate prepared by PLD JIANG Shouzhen, WANG Chuanchao, MAN Baoyuan, XU Shicai (College of Physics and Electronics,Shandong Normal University, JiNan 250014) Abstract: Room-temperature ferromagnetic ZnCoO thin film with (002) preferential orientation has been grown by pulsed laser deposition at different substrate temperature on n-type Si(111) substrate. X-ray diffractometer and X-ray photoelectron spectroscopy results indicate that this ferromagnetic behavior is not due to Co microclusters in the film. Zinc interstitials, oxygen vacancies and lattice defects induced by low substrate deposition temperature show significant effect on the ferromagnetic behavior. By changing the substrate temperature to control the amount of zinc interstitials, oxygen vacancies and lattice defects, the ferromagnetism can be tuned significantly as well, which provides a direct evidence that these defects contributed to the ferromagnetism in ZnCoO thin film. Keywords: PLD; temperature; ZnCoO; ferromagnetic 0 引言 由于自旋电子器件具有非易失性、数据处理速度快、低能耗和高的存储密度等优点，自 旋电子学吸引了大批研究者的目光[1,2]。而自旋电子器件的进一步发展紧紧依赖于稀磁半导 体材料的开发[3,4]。稀磁半导体是通过在半导体材料中掺杂少量磁性元素形成的[5]。生长Ⅱ- Ⅵ族的稀磁半导体材料，例如在蓝宝石衬底上沉积 Co 掺杂的 ZnO[6,7]和 V 掺杂的 ZnO[8]， 已经被报道。在-Ⅵ族半导体材料中，ZnO 是稀磁半导体材料基体的最好候选材料。在大 多数的研究中，蓝宝石由于与 ZnO 纤锌矿结构之间存在较小的晶格失配而被广泛地当做衬 底使用。但是使用蓝宝石会使器件的制作过程变得复杂，因为蓝宝石是绝缘材料并且难以刻 蚀。这一困难可以通过使用 Si 衬底得以解决。另外，从实现与现阶段的 Si 基器件整合来看， 在 Si 衬底上生长高质量的 ZnCoO 薄膜也是非常必要的。 稀磁半导体材料中铁磁性的起源尚不明确。一些研究者认为在 Co 掺杂的 ZnO 稀磁半导 体中铁磁性是由于材料中出现了 Co 的团簇[9-11]。而另一些研究者提出铁磁性是由于 RKKY 基金项目：高等学校博士学科点专项科研基金（新教师基金课题）（20103704120003）；山东省高等学校 科技计划