第4章 集成电路制造工艺.pptVIP

集成电路芯片的显微照片 集成电路工艺 前工序 图形转换技术：主要包括光刻(lithography)、刻蚀(etch)等技术 薄膜制备技术：主要包括外延(expitaxy)、氧化(oxidition)、化学气相淀积(PECVD, Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)、物理气相淀积(PVD, Physics vapor Deposition)(如溅射(sputtering )、蒸发(evaporation )) 等 掺杂技术：主要包括扩散(Diffusion)和离子注入(Ion Implantation)等技术 集成电路工艺 后工序 划片 封装 测试 老化 筛选 集成电路工艺 辅助工序 超净厂房技术 超纯水、高纯气体制备技术 光刻掩膜版(Mask)制备技术 材料准备技术 Si nMOSFET器件加工工艺 双阱CMOS工艺主要步骤 双阱CMOS工艺主要步骤如下： （1）衬底准备：衬底氧化，生长Si3N4。 （2）光刻P阱，形成阱版，在P阱区腐蚀Si3N4， P阱注入。 （3）去光刻胶，P阱扩散并生长SiO2。 （4）腐蚀Si3N4，N阱注入并扩散。 （5）有源区衬底氧化，生长Si3N4，有源区光刻 和腐蚀，形成有源区版。 （6）?N管场注入光刻，N管场注入。 双阱CMOS工艺主要步骤 （