第2章 半导体物理和器件物理基础.pptVIP

晶格散射 晶格散射是由晶格振动，也就是热运动引起的载流子散射。因此，温度越高，晶格振动越剧烈，更加阻碍了载流子的运动，迁移率下降。 电离杂质散射 pn结的基本结构 英文缩写：FET (field-effec-transistor) 场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件，从制做工艺的结法上分为两大类型： 第一类：结型场效应管（Junction FET） 第二类：绝缘栅型场效应管 （Insulated Gate FET） 又称：金属一氧化物一半导体型 （metal-oxide- semiconductor FET）; 简称 MOS型场效应管。 MOS场效应管的分类 MOS管又分为 增强型(EMOS) (enhancement MOS) 耗尽型(DMOS) (depletion MOS ) 每一种又有 N沟道型 P沟道型 所以一共有四种： N沟道增强型（NEMOS） P沟道增强型（PEMOS） N沟道耗尽型（NDMOS）