多孔硅内部残余应力的研究.pdfVIP

维普资讯 第27卷第1期 压 电 与 声 光 Vo1．27No．1 2005年2月 PIEZOELECTRICS8LACOUSTOOPTICS Feb．2005 文章编号：1004—2474(2005)01—0047—03 多孔硅内部残余应力的研究 田 斌 ，胡 明 ，崔 梦 ，雷振坤。，亢一澜z (1．天津大学 电子信息工程学院电子科学与技术系，天津 300072；2．天津大学机械学院力学系．天津 300072) 摘 要：多孔硅在形成过程中由于内部产生巨大的拉伸应力，在裂纹的中心部位拉伸应力可达到0．92GPa，导 致在硅晶体内部较脆弱的部位(如晶界附近)形成微裂纹，多孔硅沿着硅表面缺陷和裂纹区生长．随着刻蚀时间的 增加，多孔硅孔隙率增加，拉伸应力进一步增加．正是由于这种残余应力的存在导致了多孔硅发生龟裂现象． 关键词：多孔硅；化学刻蚀；孔隙率；残余应力；微裂纹 中图分类号：TN4o2 文献标识码：A StudiesofResidualStressinPorousSilicon TIAN Bin ，HU M ing ，CUIM eng，LEIZhen-kun。，KANG Yi-lan。 (1．SchoolofElectronicInformationEngineering，TianjinUniversity，Tianjin300072，China； 2．SchoolofMechanicalEngineering，TianjinUniversity，Tianjin300072，China) Abstract：A largetensionstressisformedintheformationofporoussiliconwhichcanreach0．92GPainthe middleofthemicrocrack．T sstressmakethemicrocracksatthebrittlecrystalboundariesandtheporoussliicon isformedbetweenthesemicrocracks．Withtheincreasingoftime，theporosityofpo roussliiconalsonicreases． Andhtetensliestressbecomelargerand larger．Thatisthisresidualmaketheappearanceofthecrack phe— nom enon ． Keywords：poroussliicon；chemicallyetchnig；porosity；residualstress；microcrack 多孔硅的潜在应用主要体现在三个方面：光电 中的浓度为 0．24otol／L)进行不同程度的化学刻 子器件[1]、电子器件和利用其高的孔隙率 (或大的比 蚀 ；一定时间后取出，用去离子水清洗后，迅速放入 表面积)作为其他器件的载体[2矗]等。虽然制备多孔 氮气环境中进行干燥待用。试验中所用到的化学试 硅的技术各样，但新制备出的多孔硅总会发生龟裂 剂 ，如H：SO．、H：O：、KOH、HF和 HNOs均为 电子 现象，这一直是影响多孔硅性能和应用的重要因素。 级。孔隙率的计算采用质量法，质量的测量采用LI． 本文着重研究了用化学刻蚀法制备多孔硅的表面形 BRORAEG一120型电子天平 ，表面形貌分析所用的 貌和孔隙率，并对多孔硅 内部残余应力进行了测试 扫描电镜 (SEM)为PHILIPSXL30W 型扫描 电镜， 和分析，希望能对认识和解决这一问题有所帮助。 采用的激发电位在 1