Mg2Si半导体薄膜的磁控溅射制备.pdfVIP

MgzSi半导体薄膜的磁控溅射制备／肖清泉等 ·5 · Mg2Si半导体薄膜的磁控溅射制备 肖清泉，谢 泉，余志强，赵珂杰 (贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所 ，贵阳 550025) 摘要 采用磁控溅射技术和退火工艺制备出MgzSi半导体薄膜，研究了退火时间对MgzSi薄膜的形成和结构 的影响。首先在 Si(111)衬底上溅射沉积 380nmMg膜，然后在退火炉 内氩气氛围500℃退火，退火时间分别为3．5h、 4．5h、5．0h、5．5h、6．Oh。采用x射线衍射和扫描电镜对薄膜的结构和形貌进行 了表征。结果表明，采用磁控溅射方 法成功地制备了环境友好的半导体MgzSi薄膜。MgzSi薄膜具有 MgzSi(220)的择优生长特性，最强衍射峰出现在 4O．12。位置；随着退火时间的延长，MgzSi外延薄膜的衍射峰强度先逐渐增强后逐渐减弱，退火5h后，样品的衍射峰 最强。MgSi晶粒随着退火时间的延长，先逐渐增大，退火5h后逐渐减小。 关键词 MgzSi薄膜 择优生长 磁控溅射 退火 FabricationofSemiconductingM g2SiFilmsbyM agnetronSputtering XIAOQingquan，XIEQuan，YU Zhiqiang，ZHAOKejie (InstituteofAdvancedOptoelectronicMaterialsandTechnology，CollegeofScience，GuizhouUniversity，Guiyang550025) Abstract SemiconductingMgzSifilmsarepreparedbymagnetronsputteringtechniqueandsubsequentannea— ling．TheinfluenceofannealingtimeontheformationandstructureofMgzSifilmsareinvestigated．380nm thickness magnesium filmsaredepositedonSi(111)substratesbymagnetronsputtering，andthenannealedinannealingfurnace underArgasatmosphereat500C for3．5h，4．5h，5．Oh，5．5h，6．Oh，respectively．Thestructuralandmorphological propertiesoftheobtainedfilmsareinvestigatedbythemeansofX-raydiffraction(XRD)andscanningelectronmicro- scopy(SEM)．Theresultsshow thatMgzSifilmswithpreferentialgrowthofMgzSi(220)arepreparedsuccessfully bymagnetronsputteringtechniqu~ Thestrongestdiffractionpeaksisobservedat40．12。，andthepeakintensityof MgzSifilmsincreasefirstlyandthendecreasewiththeincreaseofannealingtimefortheMgzSifilmspreparedon Si(111)substrates．Thediffractionpeakintensityreachesthemaximum whenthesampleiSannealedfor5hat500℃． SEM observationsofMgzSifilmsindicatethatthegrainsizesoffilmsincreasefirstlywiththeincreaseoftheannealing time．andthendecreasewhen