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· 100 · 材料导报 ：研究篇 2010年 9月(下)第 24卷第 9期
SiC衬底上 SiCGe薄膜组分、结构的测试与综合分析
李连碧，陈治明
(西安理工大学电子工程系，西安 710048)
摘要 采用低压化学气相沉积法在6H—SiC衬底上成功地生长 了高Ge、C组分的SiCGe薄膜，利用XPS和
XRD对样品进行了综合测试分析 ，研究了SiCGe薄膜的组分和结构特征，讨论 了XRD峰位与薄膜的组分结构的关
系，为进一步改善薄膜的性能提供 了依据。结合 XPS和XRD综合分析可知，薄膜中Ge、C组分高达 3O．86 和
9．O6 ，确为SiCGe相，并不是SiGe和SiC的简单结合。测试发现，SiCGe多晶薄膜为立方结构，在l10)和 (310)方
向上择优生长。
关键词 6H-SiC SiCGe薄膜 低压化学气相沉积 x射线光电子能谱
中图分类号：0484．1
CharacterizationandAnalysisontheCompositionandStructureof
SiCGeThinFilm onSiC Substrate
LILianbi，CHEN Zhiming
(DepartmentofElectronicEngineering，Xi’anUniversityofTechnology，Xi’an710048)
Abstract SiCGethin filmswithhighGeandC contentaregrown on6H—SiC substratesuccessfullybvl0w—
pressurechemicalvapordeposition．ThecompositionandstructureoftheSiCGesamplesarestudiedbyX-rayphotoe—
lectronspectroscopy(XPS)andX-raydiffraction(XPd))。andtherelationbetweentheXRDpeakpositionandthecorn—
position。structureofSiCGethin film iSdiscussed．which providethebasisforfurtherimprovementoftheperfo卜
mance．ComparedXPSdatawithXRD dataofthefilm。itiSshownthatthefilm hasaSiCGephase。notthesimplead—
mixtureoftheSiGeandSiCphases，with30．86 Geand9．06 C．Meanwhile，itiSfoundthatthispoly-crystalline
film hasacubicstructure，whichprefers(110)and (310)orientations．
Keywords 6H-SiC，SiCGethinfilm，low-pressurechemicalvapordeposition，X-rayphotoelectronspectrum
结构的HBT器件。该新型 HBT中使用 Ge含量仅为0．34
O 引言
的SiCGe层就可使其比常规 SiC同质结晶体管的最大电流
SiCGe三元合金是近年来颇为引人注 目的Ⅳ一Ⅳ族材料 增益和厄利 电压分别增加 37 和 88 。同时，利用 SiCGe
的新成员，主要应用于2个领域：①可以与 Si集成电路工艺 带隙可调的特点还可以实现 SiCGe材料对近红外和可见光
兼容的光电功能材料，C的加入可以为Si材料上的Si
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