衬底H等离子体预处理时间对微晶硅薄膜生长的影响.pdfVIP

第 46卷第 6期 真 空 VACUUM Vo1．46．No．6 2009年 l1月 Nov．2009 衬底H等离子体预处理时间对微晶硅薄膜生长的影响 丁艳丽，朱志立，谷锦华，王志勇，中陈海，杨仕娥，卢景霄 (郑州大学物理工程学院 材料物理教育部重点实验室 ，河南 郑州 450052) 摘 要 ：本文采用 VHF—PECVD技术制备了系列硅薄膜 ，通过椭 圆偏振技术及拉曼测试 手段研究 了衬底 表面预处理时间对微 晶硅薄膜 的微结构及其生长的影响 。实验结果表 明：随衬底预处理时间(0~10min) 的延长 ，薄膜的晶化率从 14％提高到44％；薄膜表面的硅 团簇尺寸减小 ，在衬底预处理 10min时，薄膜表 面的粗糙度较小。在衬底未预处理与预处理 10min时 ，在相同的沉积参数下 ，沉积两系列不 同生长阶段 硅薄膜 的生长指数接近 。原因是 H等离子体预处理使衬底表面的原子氢增多，有利于成膜先驱物在衬底 表面的迁移 ，影响薄膜的初期成核 ，使薄膜易于晶化 。 关键词 ：微晶硅薄膜 ；晶化率 ；生长指数 ；表面粗糙度 中图分类号：0781；TB43 文献标 识码：A 文章编号 ：1002—0322(2009)06—0059—04 Effectsofhydrogen plasm apretreatmentofsubstrateon thegrowth of microcrystallinesilicon film DING Yan-Li，ZHU Zhi-li，GU Jin-Hua，WANG Zhi—Yong，SHEN Chen—Hal， YANG Shi—E．LU Jing—Xiao 。 (SchoolQ厂PhysicalEngineeringandMaterialPhysicsLaboratory，ZhengzhouUniversity， Zhengzhou450052，China) Abstract：TheeffectofpretreaingtimeforsubstratesurfacewithH2plasmaonthe microstructure and growth oftxc—Si：H thinfilmsbyVHF—PECVD wasinvestigatedexperimentallyusingSEM，RamanspectraandSE(spectroscopicellipsometry)．The resultsshowed thatthe Siclustersize decreasesand the crystallization rate increases with lengthening H2一plasma pretreating time，ie．，when thepretreatingtime increasesfrom 0 to lOmin，thecrystallizationrateincreasesrfom 14％ tO44％ with film surface roughness reduced．Forthe thin filmsofwhich the substrate were pretreated for 10min and withoutpretreatment，the growthindexB issimilarunderconditionsofthesamedepositionparameters．Thereason isthattheH2plasmapretreatment increasesH atomson substrate surface SO astobenefitthefilm precursormigration on substrate sur