溶胶-凝胶法制备Cu2ZnSnS4薄膜及其表征.pdfVIP

2013年 2月 吉林师范大学学报(自然科学版) No．1 第 1期 JournalofJilinNormalUniversity(NaturalScienceEdition) Feb．2013 溶胶一凝胶法制备 Cu2ZnSnS4薄膜及其表征 王 多 ，孙亚明 ，孟祥成 ，王志英 ，华 中1,2 (1．吉林师范大学 凝聚态物理与材料科学研究所，吉林 四平 136000； 2．吉林大学 物理学院，吉林 长春 130023；3．吉林师范大学分院，吉林 四平 136000) 摘 要 ：采用溶胶一凝胶法和旋涂技术在FTO玻璃衬底上制备了CuZnSnS(CZTS)前驱体薄膜，在氩气氛围 中退火后获得Cu：ZnSnS薄膜．利用 x射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪 (Raman)、扫描电子显微镜 (SEM)、紫 外一可见分光光度计 (uV—VIS)对样品进行表征分析结果表明：450℃退火后的样品为纯相的CuZnSnS，样品的 晶粒尺寸较大，禁带宽度接近太阳光谱的禁带宽度． 关键词 ：CuZnSnS；溶胶一凝胶；太阳能电池 中图分类号：0484．1，TB332 文献标识码 ：A 文章编号：1674-3873一(2013)0143029-03 随着全球能源危机和不可再生资源的不断枯 (SnC1 ·5HO)以及硫脲，分别溶解在包含 30％乙 竭，太阳能在能源结构中越来越重要，发展太阳能科 醇的去离子水中制备前驱体，将混合溶液在45cI=加 技能够减少在发电过程中使用矿物燃料，从而减轻 热搅拌40min．在 FTO玻璃衬底上旋涂前驱体溶 空气污染及全球变暖的问题．因此，开发高效低成本 液，转速 2500r／s，工作时间40S；然后在热板上 的太阳能电池材料成为国内外许多国家的研究热 110％干燥 10rain，此过程重复3次；最后使用管式退 点 ¨引．Cu(In，Ga)Se(CIGS)是 目前光电转换效率 火炉，在氩气保护下分别在400、450、500℃退火 1h． 较高、应用广泛的光吸收层材料，但 Se有毒，In和 使用x射线衍射仪 (XRD，D／max2500／PC)和 Ga资源匮乏价格又昂贵，制约着这类太阳能电池的 拉曼光谱仪 (Raman，InVia)对样品的结构进行分 大规模应用．四元化合物半导体 CuZnSnS 的晶体 析，采用扫描电子显微镜 (SEM，S-570)观察样品的 结构与 Cu(In，Ga)Se(CIGS)相似，光吸收系数超 表面形貌．用紫外一可见光光度计 (uV—VIS，uV． 过 10cm。。，禁带宽度与太阳光谱相近 (1．4～1．5 5800PC)测量吸收谱． eV)，能吸收大部分的入射太阳光，适合制备薄膜太 2 结果与讨论 阳能电池，因此收到了国内外研究人员 的广泛关 注 。目前，制备CZTS薄膜的实验方法主要有磁 2．1 CZTS薄膜XRD和拉曼光谱分析 控溅射法 J、真空蒸镀法 J、电沉积法 J、溶胶一凝 图 I是不同退火温度下 CZTS薄膜的XRD谱 胶法 j、热注射法 j、电子束蒸发硫化法 ¨。。等．本文 图．400—450~C之间热处理后得到的(112)、(200)、 利用设备简单、操作方便的溶胶一凝胶法结合热处 (220)和(312)晶面衍射峰与CZTS的标准衍射峰相 理制备 CZTS薄膜．利用x射线衍射仪(XRD)、拉曼 吻合．而在 500~C热处理的样品中，出现了cu S杂 光谱仪 (RAMAN)、扫描电镜 (SEM)、紫外一可见光 相峰． 分光光度计 (uV．VIS)对薄膜的晶体结构，表面形貌 为了进一步分析CZTS薄膜的结构，对45O℃退 进行表征分析及通过光吸收系数计算其禁带宽度． 火后的样品进行了拉曼光谱测试，如图2所示．在 250cm～～360cm 范围内对样品进行测量，在扫 1 CZTS薄膜的制备方法 描波长为 288cm 和 337cm 时，明显观察到 将摩尔 比为2：1：1：8的二水合氯化铜 CZTS的特征峰，其中