LED半导体照明的散热方案研究.pdfVIP

DOI：lO．3969／j．issn．1001—3824．2011．03．015 LED半导体照明的散热方案研究 罗 元，魏体伟 (重庆邮电大学光电工程学院，重庆 400065) 摘 要 ：介绍 了近年来国内外 LED照明散热技术的研究进展 ，结合 ANSYS软件对大功率 LED的散热进行仿真分 析 ，重点对 LED的散热结构进行研究，认为散热结构的优化设计是 LED散热研究的关键 。 关键词 ：LED照明；半导体 ；散热；ANSYS 破。技术人员采用先进的倒装芯片技术，通过在芯 O 引 言 片的P极和Ⅳ极下方制作超声波金丝球焊点来作 20世纪末，伴随着蓝光 LED的研制成功，LED 为电极的引出结构，并在芯片外侧 的硅底板上制作 开始被广泛应用于照明领域，由于其巨大的节能潜 金丝引线，克服了正装 LED芯片在出光效率与电 力，成为21世纪最具发展前景的高新技术领域之 流制约方面的缺点 。 一 ， 然而LED高功率产品输入功率约20％转换为 尽管芯片倒装技术比传统的LED芯片封装技 光，剩下80％的电能均转换为热能。如果热量集中 术有更多的有效出光，但如果不在芯片发光层电极 在很小的芯片内而不能有效散出，会导致芯片温度 下方增加反射层来反射 出浪费的光能，则会造成约 升高，引起热应力的非均匀分布、芯片发光效率和 8％的光损失，所 以底板材料上必须增加反射层 ， 荧光粉转换效率下降等一系列 问题。为了解决 经过这些改善，可 以提高大功率 LED器件的光通 LED散热 问题，国内外的专家和学者主要从改进 量 。因为大功率倒装结构 LED的P电极要求 电流 LED的封装和散热结构，选取合适的LED散热封装 扩展均匀，接触电阻小，反射率高，热稳定性好，所 材料等方面来进行研究。 以多选用高反射率金属或透 明电极和高反射金属 复合体系2种方案来实现倒装焊 J。 1 基于LED封装结构的散热方案 倒装焊芯片面临的问题是：受硅片机械强度与 1．1 硅基倒装芯片 导热性能限制，硅片无法减少厚度，也无法进一步 降低内部热沉的热阻，制约了其传热性能的提高。 为了使 LED有源发热区更有效地接近散热体， 另外，倒装焊结构在降低 LED芯片热阻、提高器件 目前大部分厂家都采用热电分离的形式，将倒装芯 片用硅基板直接焊接在热沉上。美 国Lumileds公 散热性能等方面仍然依赖于芯片结构中各层材料 司研制出的AIGalnN功率型倒装芯片结构 ，LED 的选取及工艺参数的优化。 芯片通过凸点倒装连接到硅基上，热量直接传到热 1．2 金属线路板 导率更高的硅或陶瓷衬底 ，继而传到金属底座，这 金属线路板结构利用铝等金属具有极佳的热 种结构的热阻理论计算最低可达到 1．34K／W，实 传导性质，将芯片封装到覆有几mill厚的铜电极的 际已达到6～8K／W，出光率也提高了60％左右 j。 PCB板上，或者将芯片封装在金属夹芯的PCB板 目前国内在倒装焊芯片结构上，也有很大的突 上，然后再封装到散热片上来解决LED因功率增大 所带来的散热问题