制作01umMOS元件的技术.pdfVIP

毫 微 米 通 訊 使用Leica Weprint200電子束直寫微影系統 製作0.1 um MOS元件的技術 吳永俊、劉正財、宋金龍、胡淑芬 國科會亳微米元件實驗室 一、前言 隨著半導體積體電路積集度快速增加，微影技術所要求的線寬亦越來越小。從 0 . 8 u m解析 度為設計準則的G - l i n e步進機，到0 . 6 u m ~ 0 . 3 5 u m的I - l i n e步進機，接續為0 . 2 5 u m ~ 0 . 1 8 u m ，波長為 2 4 8 n m的氟化氪(KrF) 準分子雷射步進機或掃描機，再到0 . 1 8 u m ~ 0 . 1 3 u m ，波長為1 9 3 n m的氟化 氬(ArF) 準分子雷射步進機或掃描機，而再接替者可能為157 nm波長的F 雷射。一般認為光學微 2 影的解析度極限在 0 . 1 u m ，之後進入後光學微影 ( Post-Optical Lithograp hy ) ，或稱新世代微影 ( N ext Generation Lithograp hy ) ，可能被採取的微影技術有電子束( E l e c t ron Beam) 微影，離子束 (Ion Beam) 微影及X -光微影等。其中電子束微影所具有的高解析度，景深大等優點，已應用在 製作光罩的成熟技術上，在下一個小於0 . 1 u m解析度之深次微米 ( D e ep Sub-micron) 世代，受到 最大的重視。 本實驗室新購置的Leica Wep ri n t 2 0 0新式電子束微影系統，為能量4 0 Ke V的可變式形狀電子 束 ( Va ri ably Shaped Beam) 。具有0 . 1微米以下的圖案定義能力，並可製作不同尺寸光罩 ( 5吋、6 吋) 及晶片 ( 1 5 0 、2 0 0釐米) 直寫的多重能力，因此對於尖端的元件研究提供多樣的選擇性。電 子束直寫微影特性方面，有原圖案高解析度的特色，及不需製作光罩的優點；於學術研究領 域，可以快速化及多樣化地研究最尖端的深次微米元件，而於產業應用領域，可應用於製作少 量的特殊應用元件 ( A S I C ) ，既可省卻製作光罩的成本，並縮短成品上市的時間。 決定電子束直寫微影製作0 . 1 u m元件成功與否的關鍵，除了極佳的解析度外，另包含有多 層對準之精確度 ( O ve rl ap Accura cy ) ，以及搭配0 . 1 u m元件的製程整合。本文中將討論如何以 Leica Wep ri n t 2 0 0 ，新型電子束直寫微影系統來製作0 . 1 u m M O S元件，及展示0 . 1 u m元件圖案及多 層對準 ( ove rl ap) 結果，並提出後續製作小於0 . 1 u m元件的研究方向。 本報告主要工作成果為，以Wep ri n t 2 0 0新式電子束微影系統，開發出多層對準的技術，並 經過相關製程以及測試驗証後，成功地製作0 . 1 u m M O S元件。 使用電子束直寫製作0 . 1 u m M O S元件的流程如下 1 . 製作零層標記，並蝕刻之。 2 . 辨認並偵測所有零層標記為正確無誤。 3 . 製作元件第一層主動區域 ( A c t ive Region) 微影製程，並蝕刻之。 4 . 製作元件第二層閘極 ( G ate) 電子束直寫微影製程。