p-n结型光催化剂Co3O4／In2O3的制备、表征及其光催化性能的研究.pdfVIP

2010年 lO月 皖 西 学 院 学 报 Oct．，2010 第 26卷第 5期 JournalofWestAnhuiUniversity Vo1．26 N()．5 p-n结型光催化剂 Co304／In2O3的制备、 表征及其光催化性能的研究 胡文娜 ，刘 伟 (1．蚌埠学院 应用化学与环境工程系，安徽 蚌埠 233000；2．淮北师范大学 化学与材料科学学院，安徽 淮北 235000) 摘 要 ：p-n结型 Co。0 ／Inz0s光催化剂是用共沉淀法制备的．并用 X射线衍射对其进行表征 。用光催化还原 Cr 和光催 化氧化 甲基橙的效率来评价该催化剂 的活性 。实验分别研究 了 Co。0 的掺杂比、焙烧温度和焙烧时间对光催化活性 的影 响。 实验结果表 明．Cos0 的最佳掺杂 比(质量分数)为5 。催化剂的最佳焙烧温度和最佳焙烧时间分别为 300。C和 2h。在可见光 和紫外光的照射下。p-n结型光催化剂 Co。0 ／Inz0。的光催化氧化活性和光催化还原活性均比纯 1n()。的高。实验 同时还探讨 了影响 P—n结型光催化剂 Co。04／In203催化活性 的机理 。 关键词 ：P—n结 ；光催化剂；Co304／In2O3；制备 ；表征 中图分类号 ：0646 文献标识码 ：A 文章编号 ：1009—9735(2010)O5—0005—05 1 引言 得到有效地分离[1。。。 利用半导体作为光催化剂，光催化降解和消除有 本实验从抑制光生电子一空穴对 的复合提高光催 害有机物，引起人们极大的关注，这种方法具有高效、 化量子效率角度 ，制备出以InO。为母体的p-n型光 节能、不存在二次污染等特点[1]。其中纳米二氧化钛 催化剂 Co。O ／In：O。。当一定能量 的光照射 到 p-n 由于其具有粒度小、粒径分布窄、比表面积大 、纯度 型光催化剂时，在其表面将产生电子一空穴对 ，电子一 高、价廉、无毒 、稳定、使用寿命长等优点，在环境保 空穴对在 内电场的作用下将会被有效的分开 ，光催化 护 、治理等领域尤其显示了广 阔的应用前景，是一种 量子效率得到提高 [】。 公认的优 良的半导体光催化剂雎]。然而，由于二氧化 2 实验部分 钛的带隙较宽(约 3．2eV)，决定了其只能吸收利用太 2．1 主要实验仪器 阳光中的紫外线部分 ，同时在其使用过程中还存在光 TU一1901紫外一可见光分光光度计 (北京普析通 生电子一空穴对复合、光催化量子效率低等 ，所 以极大 用仪器有限责任公司) 地限制了它的广泛应用 。因此，开发新型高效的可见 375W 中压汞灯 (北京电光源研究所研制 ，特征 光催化剂 ，及充分利用太 阳能 ，将是光催化发展进一 波长 365nm) 步走向实用化的必然趋势。 500W 氙灯 (北京电光 源研究所研制 ，特征 波长 InzO。具有较高的可见光催化活性 ，是一种潜在 470nm) 的可见光材料L3]，可被广泛应用于各个领域 ，如太阳 GSL1400X管式炉 (合肥科晶材料技术有限公司) 能电池L4]，光 电子产品 ]，液晶显示器 ，气体传感 x射线衍射仪 (xRD)：XRD分析采用 中国丹东 器[7]和生物传感器 [8等 。而钴 的氧化物如 Co。O ，是 方圆仪器有限公司 DX一2000一X—ray粉末衍射仪 ，Cu 一 种 P型半导体 ，且具有较好 的电磁性 ，可作为有效 的光催化剂和高温太阳光选择性滤光片 ，在玻璃和陶 * 收稿 日期：2010一O6—16 瓷工业中用作颜料，被认为是过渡金属氧化物 中最广