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项目4 霍尔传感器---转速检测仪的设计 4.1项目描述 4.2相关知识 4.3传感器的认知 4.4 项目参考设计方案 4.5项目实施与考核 4.1项目描述 本项目就是结合本节所学的霍尔传感器，设计一个以霍尔传感器作为敏感元件的测量转速的仪器。 4.1.1 任务要求 1. 以霍尔传感器为传感元件； 2. 对于转速的不同能够有明显区别的不同提示，可酌情加分； 3. 当转速到达低于或高于一定阈值时能够发出声光报警，可酌情加分； 4. 鼓励采用单片机为控制单元，可酌情加分； 5. 最终上交调试成功的试验系统—转速检测仪； 6. 要求有每个步骤的文字材料，包括原理图、使用说明、元件清单、进程表、调试过程描述等。 4.1.2 相关知识点分析 本项目单元主要讲述霍尔传感器的各项知识,具体知识点如下： 1. 理解霍尔传感器的工作原理； 2. 了解霍尔传感器的设计要点； 3. 了解霍尔传感器的结构； 4. 掌握霍尔传感器的测量电路； 5. 掌握霍尔传感器的主要特性； 6. 掌握霍尔传感器的误差补偿； 7. 了解霍尔集成电路； 8. 了解霍尔传感器的各种应用； 4.2相关知识 霍尔传感器的工作基础就是霍尔效应。用它可以检测磁场及其变化，也可在各种与磁场有关的场合中使用。 4.2.1霍尔传感器传感器工作原理及结构形式 1．霍尔效应 金属或半导体薄片置于磁场中，磁场方向垂直于薄片，当有电流流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将会产生电动势，这种现象称为霍耳效应。所产生的电动势称为霍尔电势。? 霍尔效应从本质上讲，是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而偏转引起的。 若磁感应强度B不垂直于霍尔元件，而是与其法线成某一角度θ时，实际上作用于霍尔元件上的有效磁感应强度是其法线方向（与薄片垂直的方向）的分量，即Bcosθ，这时的霍尔电动势为: 图4.1 霍尔效应原理图 2. 霍尔传感器的设计要点 1）霍尔尔元件尺寸 霍尔效应的强弱与霍尔元件的尺寸有关。经验表明当取a／b约等于2时，霍尔电势可达最大值。 2）霍尔元件的材料 霍尔元件一般采用N型的锗、锑化铟和砷化铟等半导体单晶材料。其中N型锗(Ge)容易加工制造, 其温度性能和线性度都较好。 N型硅（si）的线性度最好, 其霍尔系数、 温度性能同N型锗相近。锑化铟(InSb)对温度最敏感, 受温度的影响较大， 尤其在低温范围内温度系数大。 砷化铟(InAs)的霍尔系数较小,输出信号没有锑化铟元件大，但是受温度的影响却比锑化铟要小，而且线性度也较好，因此，采用砷化铟做霍尔元件的材料受到普遍重视。 3. 霍尔传感器的结构 霍尔传感器的结构很简单, 它由霍尔片、 引线和壳体组成, 霍尔片通常被制作成长方形薄片，国产霍尔片的尺寸一般为a＝2mm；b＝4mm；d＝0．1mm。 它的长度方向两端面上焊有a、b两根引线，通常用红色导线，其焊接处称为控制电极； 在它的另两侧端面的中间以点的形式对称地焊有c、d两根霍尔输出引线，通常用绿色导线，其焊接处称为霍尔电极。 图4.2 霍尔元件示意图 a）霍尔效应原理图 b）薄膜型霍尔元件结构示意图c）图形符号 d）外形 霍耳元件的基本测量电路如图 4.3 所示，由电源 UE通过调节电阻 RW来提供控制电流 I，通过调节电阻RW可以调节控制电流 I 的大小，UE可以是直流电源也可以是交流电源， RL 是霍耳输出电压 UH的负载电阻，霍耳电压UH一般为毫伏数量级，因而实际应用时要后接差动放大器。所以负载电阻RL通常是放大电路的输入电阻或表头内阻。 图 4.3霍耳元件的基本测量电路 4.霍尔片的基本电路 5.霍尔元件的主要特性 1）输入电阻Ri 2）输出电阻R0 3）额定激励电流和最大激励电流IM 4）额定功耗P0 5）灵敏度KH 6）最大磁感应强度BM 7）霍尔电动势温度系数 8） 不等位电动势和不等位电阻 9）寄生直流电势 10）热电阻  霍尔传感器的误差及其补偿 1．不等位电势的补偿 图4.5为两种常用的补偿电路。 图(a)是在电阻值较大的桥臂上并联电阻. 图(b)是在两相邻桥臂上并联电阻，以增加电极等效电桥的对称性。 图 4.4 霍尔元件不等位电动势原理图 图 4.5不等位电动势补偿电路 2.温度误差及其补偿 1)采用恒流源并联分流电阻的补偿方法 2)选取合理负载电阻RL进行补偿 3)采用恒压源和输入回路串联电阻法 4)采用正、负不同温度系数电阻法进行温度补偿 5)桥路补偿法 4.2.2霍尔集成电路 （1）线性型霍尔集成电路是将霍尔元件和恒流源、线性放大器等做在一个芯片上，输出电压为伏级，比直接使用霍尔元件方便得多。输出电压较高，使用非常方便，目前得到广泛的应用。较典型的线性霍尔