发射光谱法研究纳秒激光烧蚀硅等离子体特性.pdfVIP

第30卷，第6期 光谱学与光谱分析 201 and June，2010 0年6月 SpectroscopySpectralAnalysis 发射光谱法研究纳秒激光烧蚀硅等离子体特性 高 勋1’2，金明星1，丁大军h，林景全2 1．吉林大学原子与分子物理研究所，吉林长春130012 2．长春理工大学理学院，吉林长春130022 Nds+t 摘要利用调Q YAG激光器三倍频355nln激光脉冲烧蚀空气环境的硅样品，观测不同脉冲激光 能最下产生的等离子体在380～420nrn范围内的时间一空间分辨等离子体发射光谱，观测到在等离子体羽膨 胀初期存在N+发射光谱。在局域热力学平衡近似条件下，根据时间一空间分辨等离子体发射光谱计算得到 等离子羽体电子温度和电子密度随时间延时存在二次指数衰减变化，等离子体羽体电子温度和电子密度的 空间分布近似肇Lorentz分布，发现在确定激光脉冲能量下电子密度窄间分布最大值偏离光谱强度最大空间 位置并对产生原因进行分析，探讨了等离子体羽参数与激光脉冲能量的关系。 关键词脉冲激光烧蚀；等离子体发射光谱；电子温度；电子密度 中图分类号：0433．4文献标识码：A 引 言 1实验装置 laser ablation，PLA) 近年来，由于脉冲激光烧蚀(pulsed 实验装置如图1所示，Nd3+：YAG激光器输出的激光 在溅射沉积薄膜、纳米颗粒制备、团簇产生、材料微加工、 脉冲(波长355rlm、脉宽8ns，重复频率10Hz)经激光能量 物质成分激光击穿光谱分析等领域的广泛应用[1{]，使得人衰减系统(由半波片和格兰棱镜组成)由石英透镜(焦距100 们对于高能脉冲激光与物质相互作用、等离子体羽的形成及 mm)垂直聚焦到硅靶材上。产生的聚焦光斑直径约0．2iTlrn。 其演变过程有了许多认识。由于激光烧蚀硅具有快速的作用 硅样品(100)的直径为30lnlTl，厚度为1ITnTI，经过丙酮的表 过程和高精确度等特点，在电子和半导体行业中的硅微加工 面清洁处理。硅固定在绕轴匀速转动的步进电机，保证每一 中得到了广泛的应用。激光与硅相互作用时产生的等离子体 个激光脉冲烧蚀样品的不同位置。避免表面烧蚀融化环境对 及其演变涉及一系列复杂的动力学过程，硅的性质、所处的 等离子体发射光谱的影响。实验在1个标准大气压的空气环 背景气体及其压强、激光参数(如波长、脉冲宽度、能母密度 境中进行。 等)各种冈素直接影响着等离子体的形成、性质及其演变， 使得观测到的等离子体羽辐射的机理还不是十分清 楚【2门“-一…。而等离子体中的原子和离子辐射强度随时间的 变化反映了激光烧蚀诱导等离子体的形成、增强以及随激光 脉冲终止以后的膨胀、减弱到消失的演变过程的许多信息。 其发射光谱测量是研究激光等离子体及其动力学的主要手段 之一[1¨，具有重要的研究价值。本文利用Nd3+：YAG激光 器烧蚀空气环境中硅材料产生等离子体羽体，观测等离子体 Schematicof usedin 的时间和空间分辨发射光谱探讨硅等离子羽体特性。 Fig．1 experimentsetup the measurement plasmaspectroscopic 收稿日期：2009-08-16，修订日期：2009一II一18 基金项目：国家自然科学基金项目(10534