硅片上超薄氧化硅层厚度测量的XPS标准曲线法.pdfVIP

第30卷，第6期 光谱学与光谱分析 2 1 June，2010 0 0年6月 and Analysis SpectroscopySpectral 硅片上超薄氧化硅层厚度测量的XPS标准曲线法 赵志娟1，刘 芬¨，王 海2，赵良仲1，闫寿科1’3，宋小平2 1．中国科学院化学研究所．北京100190 2．中国计量科学研究院。北京100013 3．北京化工大学化工资源有效利用国家重点实验室，北京100029 摘要提出一种新的处理方法-XPS标准曲线法来测量硅片上超薄氧化硅层(SiCk／Si)的厚度。该方法利用 一系列氧化硅厚度(d)准确已知的Si()2／si标准样品，分别记录其氧化硅和元素硅的Si(2p)谱线，并得到峰 高比(R)，然后将厚度(d)对峰高比(R)作图得到标准曲线。在相旧的实验条件下，测得未知样品氧化硅和元 素硅的Si(2p)谱线并计算其峰高比，通过插入法在标准曲线E得到相应的氧化硅层厚度。si02／Si标准样品 由设备一流和经验丰富的权威实验室提供，其氧化硅厚度采用多种方法进行测量比对。实验表明：基于氧化 硅厚度准确知道的标准样品制作的XPS标准曲线，用于硅片上超薄氧化硅层厚度测量时具有快速、简便和 比较准确等优点，有较好的实用价值。 关键词X射线光电子能谱(XPS)；氧化硅；厚度测量；标准曲线 中图分类号：()657．6文献标识码：A 引 言 谱仪测得的厚度数据尚有一定差别。这种差别可能来自多种 二氧化硅薄膜是晶体管父键组件(即栅氧化层)的首选材 因素，例如XPS谱仪的结构、性能、测定时的实验条件和数 料，它对晶体管、器件和集成电路的可靠性至关重要。随着 据处理软件及方法存在差异等。此外，Seah等推荐方法中的 器件尺寸的日益缩小，栅氧化层变得越来越薄，从而导致其 数据处理操作(如多个谱峰拟合等)比较耗时和容易引入较大 厚度的测量与控制F1益重要。国际半导体技术发展路线图 误差。 nlTl以 本文提出一种硅片上超薄氧化硅层厚度测缱的XPS标 (ITRS)指f}{：二氧化硅栅氧化层的厚度目前已降至2 下，且其厚度控制与测最要求在1．3％的标准不确定度范围 准曲线法，该方法需要一系列氧化硅厚度(d)准确已知的 内。目前，工业界通常采用椭阗光度法来测鼍栅氧化层的厚 度[1]，它具有测昔速度快、精密度高的特点。当薄膜厚度大 于10nlTl时，椭圆光度法的测量准确度高，是一种优先选择对尺(横坐标)作图，得到标准曲线。在测量未知样品时，在 的方法【23 nlTl时，薄膜表面的污 同样的实验条件下记录其氧化硅和元素硅的Si(2p)谱线并 f但是，当薄膜厚度小于10 染层(如吸附的烃类、水分子等)给椭圆光度法带来较大的测 计算其峰高比，然后在标准曲线卜通过插入法得到相应的氧 化硅层厚度。标准曲线法广泛应用于化学分析中元素的含鼍 量误差(可达50％以上)。Seah等L3。7j建立了一种X射线光电 nrti超薄 或浓度测定，我们将其用于超薄氧化硅层厚度测每这个难题 子能谱(XPS)分析方法，可准确测最硅片上0．3～8 氧化硅层的厚度。该方法根据XPS测得的氧化硅和元素硅 中，是一个新的尝试。 的Si(2p)电子峰强度，利用公式计算得到氧化硅超薄层的厚 度[4]。按照Seah等推荐的标准操作程序(包括样品清洗、发1实验部分 射角和方位角的选定、峰拟合、计算方法及参数值 等)[3—10]，在同一台仪器上测量结果的小确定度可降至2％1．1实验仪器 ScientificES