大功率逆变器高频化功率模块解决方案.pdfVIP

功率模块 大功率逆变器高频化功率模块解决 方案 作者：陈道杰，Vincotech 中国上海，200120 ；吴鼎，Vincotech 中国深圳，518059 高频化高功率密度是电力电子发 以下。但随着电力电子应用的不断深 50khz 成为可能。 展的趋势，这在中小功率逆变 化，大功率应用中的高频化渐渐被推 器应用中已经得以实现。对于大功率 上了日程，主要的需求来源于UPS， 功率模块低寄生电感技术 逆变器，高频化仍然受限于功率模块 光伏逆变器，智能电网应用等，目标 寄生电感一直以来都是电力电 封装技术和器件技术，在100Kw 以上 开关频率为20Khz 。限制高频化的因 子器件 逆变器应用中，功率器件普遍使用 素主要是功率器件的开关损耗，包括 应用中需要克服的主要难题，尤 的开关频率仍然6Khz 。本文通过介 IGBT 的开通损耗Eon，关断损耗Eoff 其是对于高 绍一种新颖的不对称寄生电感封装技 和二极管的反向恢复损耗Erec。 频大功率应用场合。模块内部 术，使得大功率逆变器开关频率可以 现有的电力电子器件主要的瓶 的寄生电感会造成器件关断过程中 提高到20Khz ；再通过对三电平拓扑 颈在于：大功率应用中，di/dt 比较 的过电压，为了避免，必须人为的 结构的优化，提出了一种IGBT并联 大，回路中的寄生电感会造成较大的 将低开关速度，这就导致开关损耗 MOSFET技术，使得开关频率可以进 电压尖峰Vce （peak） = Vce + L * di/ 的增加；寄生参数还会造成模块开 一步提高到50Khz ，从而真正突破大 dt[1] 。为了避免，必须人为的降低器 关过程中的波形震荡，这也增加了 功率逆变器高频化应用的瓶颈。 件开关速度，这就导致器件开关损耗 电磁干扰和损耗。 的增加；另一方面，关断过程的电压 作者在文[1] 中介绍了一种新的 背景 尖峰也限制了快速开关器件的应用。 基于现有标准模块封装，通过为瞬时 随着电力电子技术的不断发展， 为了克服以上问题，实现大功率逆变 电流提供一条额外的低寄生电感回路， 高频化和高功率密度化已成为电力电 器应用中的高频化，本文通过三方面 把寄生电感从22nH 降低到5nH，真 子发展的主要研究方向和发展趋势。 的优化来实现。第一步通过功率器件 正实现了功率模块的低寄生电感设计。 在中小功率应用中，随着电力电子器 关断回路低寄生电感设计实现关断损 功率模块低寄生电感的设计， 件的不断更新换代，开关频率已经从 耗的降低；第二步在保持关断回路低 使得： 早期的几Khz 发展到现在的几百Khz， 寄生电感的前提下，增加开通回路中 •大功率 IGBT 器件可以快速， 甚至1Mhz 以上。这大大带动了小功 的寄生电感，从而降低开通损耗Eon 安全可靠的关断； 率开关电源，通信电源行业的发展。 和二极管反向恢复损耗Erec ；第三步 •IGBT关断速度提高，过电压降 但反观大功率应用，高频化的进展非 拓扑结构的优化，引入中心点钳位三 低，从而降低了关断损耗； 常缓慢，通用的开关频率仍然在6khz 电平拓扑（NPC），从而实现20khz •可以使用快速IGBT，进一步降 的开关频率。本文最后在 低开关损耗； NPC 拓扑的基础上，提 出一个新的设想，通过使 不对称寄生电感技术 用MOSFET 并联IGBT 技 开关回路低寄生电感设计对于 术，进一步优化开关特 IGBT 关断过程至关重要，这是可以 图1：不对称寄生电感示意图 图2：吸收电路能量回馈示意