磨料黏度对CMP抛光速率的影响及机理研究.docVIP

材料与器件 Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ Ｄｅｖｉｃｅｓ ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００３—３５３ｘ．２０１１．０９．００３ 磨料黏度对ＣＭＰ抛光速率的影响及机理的研究 李伟娟，周建伟，刘玉岭，何彦刚，刘效岩，甘小伟 （河北工业大学微电子研究所，天津３００１３０） 摘要：抛光磨料在抛光衬底和抛光垫间做磨削运动，它是ＣＭＰ工艺的重要组成部分，是决 定抛光速率和平坦化能力的重要影响因素。因此分析磨料的各物性参数对ＣＭＰ过程的影响尤为 重要。随着晶圆表面加工尺寸的进一步精密化，磨料黏度作为抛光磨料重要物性参数之一，受到 越来越多的重视。根据实验结果从微观角度研究了磨料黏度对ＣＭＰ抛光速率的影响及机理，并 由此得出当抛光液磨料黏度为１．５ ｍＰａ ｎｍ／ｍｉｎ且抛光表面粗糙度为 ０．３５３ ａｍ的良好表面状态。 关键词：黏度；去除速率；磨料；化学机械抛光；表面状态 中图分类号：ＴＮ３０５．２ 文献标识码：Ａ 文章编号：１００３—３５３Ｘ（２０ｉｌ）０９一０６６４—０４  Ｅｆｆｅｃｔｓ ａｎｄ  Ｍｅｃｈａｎｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ Ａｂｒａｓｉｖｅ Ｖｉｓｃｏｓｉｔｙ ＣＭＰ -5Ｒｅｍｏｖａｌ Ｒａｔｅ ｉｎ  ｏｎ  Ｌｉ  Ｗｅｉｊｕａｎ，Ｚｈｏｕ  Ｊｉａｎｗｅｉ，Ｌｉｕ Ｙｕｌｉｎｇ，Ｈｅ Ｙａｎｇａｎｇ，Ｌｉｕ Ｘｉａｏｙａｎ，Ｇａｎ Ｘｉａｏｗｅｉ （Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，Ｈｅｂｅｉ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｔｉａｎｊｉｎ ３００１３０，Ｃｈｉｎａ）  Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ ａｂｒａｓｉｖｅ  ｍａｋｅｓ ｔｈｅ  ａｂｌａｔｉｏｎ  ｍｏｔｉｏｎ  ｂｅｔｗｅｅｎ ｔｈｅ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  ａｎｄ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ ｐａｄ，ｉｔ ｉｓ ｔｈｅ ｉｍｐｏｒｔａｎｔ ｐａｒｔ ｏｆ ＣＭＰ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ ｔｈｅ ｉｍｐｏｒｔａｎｔ ｉｎｆｌｕｅｎｃｉｎｇ ｆａｃｔｏｒｓ ｔｏ ｄｅｃｉｄｅ ｔｈｅ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ ｒａｔｅ ａｎｄ ｐｌａｎａｆｉｚａｔｉｏｎ ｃａｐａｂｉｌｉｔｙ．Ｔｈｅ ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆ ａｂｒａｓｉｖｅ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｏｎ ＣＭＰ ｐｒｏｃｅｓｓ ｉｓ ｅｓｐｅｃｉａｌｌｙ ｉｍｐｏｒｔａｎｔ．Ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｗａｆｅｒ ｓｕｒｆａｃｅ ｓｉｚｅ ｂｅｃｏｍｅｓ ｐｒｅｃｉｓｅｒ，ａｂｒａｓｉｖｅ ｖｉｓｃｏｓｉｔｙ ａｓ ｏｎｅ ｏｆ ｉｍｐｏｒｔａｎｔ ａｂｒａｓｉｖｅ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｆｏｒ ＣＭＰ ｓｈｏｕｌｄ ｇａｉｎ ｍｏｒｅ ａｎｄ ｍｏｒｅ ａｔｔｅｎｔｉｏｎ．Ａｃｃｏｒｄｉｎｇ ｔｏ ｔｈｅ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ ｒｅｓｕｌｔｓ，ｔｈｅ ｉｍｐａｃｔ ａｎｄ ｍｅｃｈａｎｉｓｍ ｏｆ ｔｈｅ ａｂｒａｓｉｖｅ ｖｉｓｃｏｓｉｔｙ ｏｎ ｔｈｅ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ ｒａｔｅ ｆｒｏｍ ｔｈｅ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｉｃ ａｎｇｌｅ ｗｅｒｅ ｓｔｕｄｉｅｄ．Ｔｈｅ ｒｅｓｕｌｔｓ ｓｈｏｗ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｒｅｍｏｖａｌ ｒａｔｅ ｒｅａｃｈ ４５８ ｎｍ／ｍｉｎ，ｔｈｅ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ ｓｕｒｆａｃｅ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ ｉｓ ０．３５３ ａｍ ｗｈｅｎ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ ａｂｒａｓｉｖｅ ｖｉｓｃｏｓｉｔｙ ｉｓ １．５ ｍＰａ  ｓｔａｔｅ Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ｖｉｓｃｏｓｉｔｙ；ｒｅｍｏｖａｌ ｒａｔｅ；ａｂｒａｓｉｖｅ；ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ＥＥＡＣＣ：２５５０Ｅ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ（ＣＭＰ）；ｓｕｒｆａｃｅ  ０  引言  面质量有着直接的影响口】。传统认为抛光液磨料 起着提供机械作用和传输物料的两个功能，而忽视 随着集成电路特征尺寸的进一步缩小，对晶圆 表面平坦化要求越来越高。ＣＭＰ作为一种能够提 供全局平坦化的技术表现出强大的优越性…。在 抛光技术中，抛光液磨料对抛光速率，抛光片的表 基金项目：国家中长期科技发展规划０２科技重大专项 （２００９ＺＸ０２３０８） ６６４半导体技术第３６卷第９期 万方数据 了磨料作为催化剂参加到抛光过程中的这个功 能¨“。。目前，国内外研究针对ＣＭＰ去除速率的 众多影响因素进行了深入的研究探索，但抛光液磨 料黏度却少有报道。在流体动力学中，黏度是一个 很重要的参数，抛光液作为一种流动的液体对其磨 料黏度的研究应该得到重视。本文针对硅溶胶磨料 ２０１１年９月 李伟娟等：磨料黏度对ＣＭＰ抛光速率