抗激光损伤W%3aIn2O3透明导电膜的制备和研究.pdfVIP

抗激光损伤 W:In O 透明导电膜的制备和研究 2 3 王海峰 骆永全 李阳龙 赵祥杰 张大勇 （中国工程物理研究院流体物理研究所，四川 绵阳 621900 ） 摘要 利用激光脉冲沉积系统在石英晶片上制备了 In W O (IWO)透明导电膜，实验表明该薄膜 1.97 0.03 3 表现为 n 型透明导电膜并沿着（222 ）择优取向具有较好的结晶性，在室温下该膜具有7.85×10-4 Ωcm 20 -3 2 的电阻率并伴随有 1.2×10 cm 的载流子浓度和 66.3 cm /V·s的载流子迁移率。在 400 nm-2000 nm 光波长范围内，IWO 膜的平均光透射率大于 85%。利用He-Ne 激光散射法研究了 IWO 薄膜的损伤 情况，并使用 1-on-1 法测定了该膜的激光损伤阈值。实验结果表明：在 1064 nm、15 ns 脉冲激光辐 照下，IWO 薄膜表现为热烧蚀损伤，激光损伤阈值为 2.2 J/cm2 。对比于相同方法制备的具有相近电 阻率的 Sn:In2O3 (ITO)膜，较低的载流子吸收和等离子共振吸收使得 IWO 膜的激光损伤阈值为 ITO 膜的 2.4 倍。 关键词 激光辐照；透明导电膜；液晶光学器件；IWO ；ITO ；PLD 1 引言 透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide, TCO)薄膜属于宽带隙简并半导体，以掺 Sn 的 In2O3 （ITO ）、掺 Al 的 ZnO （AZO ）、掺 F 的 SnO2 （FTO ）等为代表，广泛应用于液晶器件、光电 隔离器等各种光电元件，并经常工作于各种高能激光系统和高能量密度物理中[1-3] 。越来越多的研究 表明，液晶光学器件在光束整形、激光偏振态、相位控制等激光光束精密控制技术上具有重要的应 用前景，透明导电膜一般被作为有源液晶器件的透明导电电极，是液晶器件中激光损伤的最薄膜环 节[4] 。上世纪 70 年代以来，人们对常用的 ITO 和 FTO 透明导电膜的激光损伤进行了研究，并获得 了不同波长激光对 TCO 膜的损伤阈值[5-8] 。但是目前这个领域的研究存在着一个严重不足，为了得 到高激光损伤阈值的 TCO 膜，人们不得不极大的牺牲其电导率，从而严重牺牲了 TCO 膜的应用前 景[5-7] 。本研究旨在不降低 TCO 膜的电导率的基础上，寻找和制备出具有高激光损伤阈值的 TCO 膜。 IWO 是目前科研工作者最为看好的具有高载流子迁移率的 TCO 膜之一，由于 W 元素易于 6 价 3 + 4+ 阳离子形式存在，替换 In 时 相比与 Sn 可以提供更多的导电电子，进而可以有效抑制掺杂离子引 入的散射机制，具有潜在的高载流子迁移率特性[9-11] 。在保证相同电导率的情况下，与ITO 膜相比， IWO 膜具有较低的载流子浓度，因此具有较小的载流子吸收和较大的等离子波长，进而 IWO 膜在 近红外光区具有高透光率和低吸收率，有望成为近红外光区的高激光损伤透明导电膜。本论文利用 [9] 激光脉冲沉积（Pulsed laser deposition : PLD ）系统在石英晶片上成功制备了In1.97W0.03O3 膜 ，并通 过微结构和电学光学性能表征对该膜的物理特性进行了研究。1064 nm 波长 15 ns 脉宽激光损伤实验 表明，对比与传统 ITO 膜，IWO 膜表现出了近红外光区更好的抗激光损伤能力。截止到目前为止， 国内外关于IWO 膜的激光损伤研究未见有人进行报道。 2 实验部分 本实验所用的 In W O 靶和 In Sn O 靶均采用固相化学反应法，在空气中 1300℃烧结 12 h 1.97 0.03 3 1.8 0.2 3 完成。利用 PLD 系统在 10 mm ×10 mm×0.5 mm 的石英晶片上进行IWO 和 ITO 薄膜制备，准分子激