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工業工程實務講座 心得報告 主題：IE的機會與挑戰： 以IC晶圓製造業為例 講員：黃崑智先生 台積電工業工程處產能企劃部部經理 組員：8824623 張鴻耀 8724608 李俊杰 8824640 翁英棕 8724653 陳玟孝 8824643 林恭任 8824606 許秀慧 8824656 徐興國 8824641 古佳惠 日期：2002/12/26 半導體製造 （1）、何謂半導體 半導體的主要材料為矽，不同物質與矽所合成的化合物可以成為非導體如SiO2、Si3N4、SiON等，或導體如WSix、Poly Si等。另在純矽中以選擇性方式摻雜不同物質（Donor 或Acceptor），使矽能以電子，或以電洞來傳導電信號，利用電荷差異的性質，產生不同的物理變化成為兩類半導體----正型（p-type）及負型（n-type）。 PMOS是利用電洞來傳導電性信號的金氧半導體，是由正型摻雜（p-type）形成的汲極（drain）及源極（source），與在氧化層上的閘極（gate）所構成。當閘極（gate）施以負偏壓時，就會在氧化層的下方感應出薄薄一層的電洞，當源極（source）外加一個偏壓之後，電洞就可經由源極（source）與汲極（drain）之間聚集的電動通道導通。而NMOS利用電子來傳導電性信號的金氧半導體，是由負型摻雜（n-type）形成的汲極與源極，與在氧化層上的閘極所構成。當閘極施以正偏壓時，就會在氧化層的下方感應出一層薄薄的電子。當汲極（drain）外加一個偏壓之後，電子就可經由聚集的電子通道導通。（見圖一） 而所謂的IC（Integrated circuit 積體電路）是將電晶體（transistor）、二極體、電阻器及電容器等電路元件，架構在矽晶片上，形成完整的邏輯電路，以達成控制、計算或記憶等功能，為人們處理各種事物。IC被稱為是「資訊產業之母」，是資訊產品最基本、也是最重要的元件。 （2）、半導體製程 半導體的製程，主要可分為四大模組：黃光（Photo）、蝕刻（Etch）、薄膜（Thin Film）、擴散（Diffusion），而每個模組又可細分為好幾百道製程。（見圖二） 黃光----利用上光阻、曝光、顯影等步驟形成所需圖案的製程，工作區域使用黃色光線，又稱為微影製程。 擴散----離子植入（Ion Implantation）後，經由高溫步驟（爐管Anneal或是Drive In）使原子擴散，從高濃度往低濃度，目的在於改變半導體的導電能力。 薄膜----使用PVD物理方法或是CVD化學方法，沉積在基板表面形成的這一層材料（金屬、高分子、陶瓷等）。成為半導體製程中的介電材料或金屬材料。 蝕刻----使用物理方法（離子撞擊）或是化學方法（薄膜與氣體或是液體反應），將薄膜或是基材不需要部分去除。需要的部分可以由光罩（Mask）成像在光阻上，保留下來。蝕刻又可分為乾蝕刻與濕蝕刻。 IC的製作過程，遊戲晶圓清洗開始，經過一連串製程步驟，包括光學顯影、快速高溫製程、化學氣相沉澱、離子植入、蝕刻、化學機械研磨等前段製程，以及封裝、測試等後段製程。由於半導體產品功能的複雜性愈來愈高，需將更多的元件整合，所以製程需要不斷的進步，目前製程技術由過去的0.5um、0.35um，進步至0.18um、0.13um，按照一步一步的流程，以循環的方式疊床架屋將電子元件塑造至晶圓上，發揮電性的效果，而每片晶圓都需經過五、六百道加工手續，若是每片晶圓每天平均加工5至6道製程，其循環時間大致需要2至3個月，因此所短工期、提高良率成為半導體產業致勝的關鍵。 （3）、生產指標 工廠中的任何機台，其美一分美一秒的狀態對於工廠都相當重要，因此工廠內所有指標都必須表示的非常清楚。半導體廠常用的生產指標如下： WIP＝Work In Progress Turn Ratio＝Total Stage Move/WIP Cycle time/Layer＝（Wafer Output-Wafer Input）/Photo layer 設備相關的指標是需要許多狀態的組合才能完整的表示： Available Time＝Up＋ Bkup＋ Lost＋ Test Non-Available Time＝Wait＋Down＋PM＋MON＋FAC＋PDCK＋ FA＋MF＋G Hold＋OCAP 如果要即時掌控工廠中的生產狀況，任何時間都必須要很清楚的了解每一片晶圓的狀況，包含晶圓正在哪一道製程，需作何種加工手續、晶圓的電性測量狀況，及機台是否上線等。在面對如此複雜資訊的管理，CIM生產管理系統是不可或缺的。（見圖三） 加工過程中，機台、產品與物料的即時資訊，由網路系統