含苯并硒二唑组分的聚对苯撑乙炔类共轭聚合物的合成及性能研究.pdfVIP

买丽丹·吾马尔等：含苯并硒二唑组分的聚对苯撑乙炔类共轭聚合物的合成及性能研究 1063 含苯并硒二唑组分的聚对苯撑乙炔类 共轭聚合物的合成及性能研究。 买丽丹·吾马尔1，石 伟1，邵华伟2，吐尼沙古丽·阿吾提1，司马义·努尔拉1 (1．新疆大学化学化工学院石油天然气教育部重点实验室，新疆乌鲁木齐830046， 2．新疆大学物理科学与技术学院，新疆乌鲁木齐830046) 摘要： 通过钯催化的Sonagashira偶合反应合成出高的载流子迁移率和荧光量子效率使其广泛应用于化 了3种带有不同链长烷氧基侧链，主链中含有2，1，3一 苯并硒二唑组分的聚苯乙炔类共轭聚合物并对其化学 无侧链取代基的聚芳炔类聚合物通常不溶不熔，可加 结构进行了表征确认。此类聚合物在常用的有机溶剂 工性差，为使其具有良好的加工性能，常需要在芳环 中具有较好的溶解性和成膜性。通过紫外可见光谱、 上引入柔性基团[7～，从而使其溶解性得到大大改善。 荧光光谱、循环伏安等对所得聚合物的基本性能进行 在共轭聚合物体系中，一系列同时含有电子给体 了探讨。聚合物P7、P9和P12在溶液状态下的紫外与电子受体基团的聚合物由于其中存在给体一受体之 吸收分别为421、450和450nm，相对应最大发射分别间的链内电荷转移而使得聚合物的带隙大大降低，通 位于475、482和481nm；固态下聚合物的吸收分别为过引入不同的给体和受体基团可以人为的调节光学带 433、486和486nm，相对应最大发射为575、583和宽，因此该类共轭聚合物的制备及性能研究成为现在 590nm。聚合物的循环伏安测试表明聚合物P7、P9、研究的一个热点问题[口]。牛俊峰等人采用Heck交叉 P12的起始电位为1．19、1．19、1．18V。聚合物非线性偶联缩聚反应合成了具有较高的荧光量子效率的聚 光学性能研究表明取代基为十二碳烷氧基的聚合物显 (苯撑乙炔撑一苯并噻二唑)系列交替共聚物，并发现聚 示出了良好的三阶非线性光学性能，其三阶非线性光 合物主链中电子给体与受体之间存在着有效的电荷转 学系数为3．54×10叫2eSLI。 移。但关于苯并硒二唑组分修饰的聚芳基乙炔类聚合 关键词：聚对苯撑乙炔；Sonagashira反应；苯并硒二物的报道则较为少见，该类材料的合成及性能分析具 唑：三阶非线性光学 有一定的研究空间。 中图分类号：0631 文献标识码：A 由于共轭高分子作为非线性光学材料在光通信、 文章编号：1001-9731(2009)07-1063-05光计算机、光能转换等方面的应用，合成出具有较大 的二阶和三阶非线性系数的材料是当前十分活跃的高 1 引 言 技术领域。聚芳基炔类共轭聚合物具有良好的三阶非 1990年剑桥大学的Burronghescl】等首次提出用线性光学性质，较高的极化率和较短的非线性响应时 共轭高分子聚对苯撑乙烯(p01y(phenylenevinylene)， ‘ PPV)为发光层来制备了聚合物电致发光器件，不久esu)c10,II]。 HeegerE幻等人证实了这个结果，随后发光聚合物的研 本文合成出了带有不同链长烷氧基侧链并含有苯 究在世界范围内广泛开展起来，使其在大面积显示器 并硒二唑基团的交替型聚芳炔类聚合物并研究了此类 件领域中具有光明的应用前景r副。共轭聚合物用于电 共轭聚合物的光学、电化学及溶液态的非线性光学性 致发光器件中(PLEDs)具有以下特点：(1)可通过旋质。研究发现，此类聚合物在常用的有机溶剂中具有 涂、喷墨印刷等方法进行器件制备I(2)共轭聚合物大较好的溶解性和成膜性，是一种潜在的三阶非线性光 多具有优良的稳定性；(3)共轭聚合物的电子结构及发 学材料。 光颜色