磁控溅射制备ZnO缓冲层薄膜的微观结构和光学性能.pdfVIP

第 43卷 第9期 稀有金属材料与工程 Vo1．43， No．9 2014正 9月 RAREM ETALMATERIALSAND ENGINEERING September2014 磁控溅射制备 ZnO缓冲层薄膜的微观结构和 光学性能 王玉伟，刘 平，李 伟，刘新宽，马凤仓，陈小红，何代华 (上海理工大学，上海 200093) 摘 要：研究了衬底温度、溅射气压对磁控溅射沉积 ZnO缓冲层薄膜的微观结构、表面形貌和光学性能的影响。结果 表 明，衬底温度、溅射气压对 ZnO缓冲层薄膜表面形貌 、晶粒尺寸、禁带宽度和光学透过率等有较大影响。综合分析 得 出最佳 的制备 ZnO缓冲层薄膜 的工艺为250℃、0．6Pa。在此工艺下制备的ZnO缓冲层薄膜具有很好 的ZnO(002)面 c 轴择优取向，结构致密、尺寸均匀，禁带宽度为3．24eV，可见光平均透过率为86．93％，符合作 CIGS太阳能电池缓冲 层的要求。 关键词：衬底温度；溅射气压；ZnO缓冲层：微观结构；光学性能 中图法分类号：TM615 文献标识码 ：A 文章编号：1002—185X(2014)09—2203．06 铜铟镓硒 (CIGS)薄膜太阳能 电池具有成本低、转 代 CdS薄膜作为缓冲层材料 。实验结果说明了用 ZnO 化效率高、稳定性好的特点，是 目前 电池研究的热点 替代 CdS作为缓冲层材料能够取得 比较理想的光 电 之一[1I。最近 ，瑞士联邦材料科学与技术实验室EmPa 性能，且 ZnO／CIGS异质结 的短路 电流还要优于 宣布，其研发 的柔性衬底 CIGS太 阳能 电池 己凭借 CdS／CIGS异质结 l【1。因此，为了降低电池制备工艺 20．4％的高转换效率刷新世界记录3【】。CIGS薄膜太阳 的复杂性，本研究提出用真空磁控溅射法制备 ZnO 能电池传统的结构为Basis／Mo／cIGS／Cds／i—ZnA／ZO， 缓冲层，研究了磁控溅射工艺参数对 ZnO 薄膜结构 其 中CdS为缓冲层。采用 CdS作为 CIGS太阳能电池 和性能的影响，主要包括衬底温度 、溅射气压对磁控 的缓冲层具有诸多优势，但 同时也存在其难 以克服 的 溅射沉积 ZnO缓冲层薄膜 的微观结构、光学透过率 缺点：首先 ，CdS是有毒化学物质，对环境和操作人 和禁带宽度的影响，以期为 CIGS薄膜太阳能电池的 员都有一定的危害[4]；其次，制备 CdS缓冲层的常用 真空工业化生产提供理论依据 。 方法是化学水浴 (CBD)法，而薄膜太阳能电池的其 1 实 验 它各层通常在真空中用干法制备，采用干法和湿法混 合工艺的生产线，则提高 了工艺的复杂性。此外，由 ZnO缓冲层薄膜的制备是在 JGP一450型磁控溅射 于 CdS薄膜的禁带宽度在2．3～2．4eV之 引，因此太 设备上采用射频溅射方式完成的，实验 中选择 ZnO陶 阳光谱中只有蓝光波长以下的光谱范围才能被 电池所 瓷靶作为溅射靶，其靶材直径为 75mm，厚 3mm， 吸收，限制了薄膜太阳能电池效率的进一步提升 6【】。 纯度优于 99．99％。ZnO缓冲层薄膜 的基片是普通的钠 正是在这种情形下，近2O年来人们一直在努力寻 钙玻璃。基片的清洗处理方法为：玻璃片放入丙酮、 找可以替代 CdS作为缓冲层的材料， 目前 已经取得 乙醇、去离子水中分别用超声波清洗 10min，以去除 了一些成果。主要包括用 ZnS、ZnSe、ZnO、In2Se3、 玻璃基片表面的油污及其他污染物 ；随后，用干燥 的 InZnSe等薄膜材料取代 CdS做缓冲层 。ZnO是一 N：吹干，快速放入真空清洗室进行反溅射清洗 10min， 种