磁控溅射法制备 V 掺杂Cu3N薄膜研究.pdfVIP

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2017-08-20 发布于湖北
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磁控溅射法制备 V 掺杂Cu3N薄膜研究.pdf

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磁控溅射法制备 V 掺杂Cu3N薄膜研究.pdf

: 黄赛佳等磁控溅射法制备掺杂薄膜研究 V CuN ３０４０５７文章编号: ( ) １００１Ｇ９７３１２０１５０４Ｇ０４０５７Ｇ０４磁控溅射法制备掺杂薄膜研究∗ V CuN ３ , , , , , , 黄赛佳侯雨轩侍宇雨王志姣杨柳青杨建波李兴鳌 ( , ) 南京邮电大学材料科学与工程学院南京２１００４６ : 摘要利用磁控溅射法成功制备了掺杂薄等研究发现在左右的压力下可实现半　　 V CuN CuN ５．５GPa ３３ [ ] １２ . , 膜显示随着掺入浓度的升高薄膜的择优生导体向导体的转变 . 等利用磁控溅射实现了 XRD V Fan ( ) ( ) . 长取向由面向面转变结果表明向 , １１１１００ SEM 薄膜的掺杂研究发现薄膜的电阻和光学带 CuN Ti ３ [ ] １３ , 薄膜中掺入薄膜的晶体颗粒形态发生了变隙随着膜中掺杂量的增加而增大 . 和 CuN V Ti DuYun ３ . 、化从对薄膜样品进行的光反射率电阻率和显微硬等研究了和掺杂对薄膜的热稳定 GaoLei In Ti CuN ３ , 度测试结果可以看出薄膜中掺入适当浓度对其光 , V