极紫外光辐照下表面碳沉积污染的计算模型.pdfVIP

第 34卷 第 5期 光 学 学 报 Vo1．34，No．5 2014年 5月 ACTA OPTICA SINICA May，2014 极紫外光辐照下表面碳沉积污染的计算模型 王 殉 金春水 匡尚奇 喻 波 金方圆 ／ 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 ，吉林 长春 130033＼ ＼ 中国科学院大学，北京 100049 ／ 摘要 极紫外光刻 (EUVI)是最有可能实现 22nm技术节点的下一代光刻技术。极紫外 (EuV)光刻系统使用波 长为13．5nm，在此波段下曝光设备只能采用全反射式系统。然而，在极紫外光辐照下的光学元件，薄膜表层的碳 化和氧化是导致 EUV反射膜反射率下降的两种主要机制 。结合 EuV光学器件 的表面分子动力学理论 ，研究碳沉 积层 的作用机理，以便找到抑制污染沉积的有效方法 。通过针对碳污染层模型的计算研究，验证 了模型和假设的 有效性 ，从侧面证 明了Boiler等 的 “二次电子诱导分解是主要沉积过程”理论 。通过迭代法模拟 了控制污染的几个 关键参数对沉积层 的影响，得到 5O～8Onm 的非工作波段产生 的碳沉积最为严重 的计算结果 。 关键词 薄膜 ；极紫外光刻 ；碳沉积模型；迭代法 中图分类 号 0484．1 文献标 识码 A doi：10．3788／AOS2O1434．0531O01 SimulationModelofSurfaceCarbonDepositionContamination UnderExtremeUltravioletRadiation WangXun JinChunshui KuangShangqi YuBo JinFangyuan’ fChangchunInstituteofOptics，FineMechanicsandPhysics，ChineseAcademyofSciences，] f Changchun，Jilin130033，China J l Universityof ChineseAcademyof Sciences，Bering100049，China J Abstract Extremeultravioletlithography (EUVL)isoneofthemostpromisingcandidatesfornextgeneration lithographytoachieve 22 nm technology node．Ittakesofextreme ultraviolet (EUV) at13．5 nm．With this wavelength，alltheexposureequipmentsmustbereflective．Whereas，fortheextremeultravioletirradiatedoptical elements，thetwomainmechanismsthatreducereflectivityofEUV reflectivefilm arecarbonizationandoxidationof thefilm surface．Researchingthemechanism ofcarbondepositedlayerwithsurfacemoleculekinetictheoryofEUV opticaldevicestofindaneffectivewayforinhibitingthedepositionofpollution．W einvestigatethevalidityofmodels andassumptionsbyresearchingoncarbonpollutionlayermodel，ind