用氢化物气相外延（HVPE）法生长的氮化铟薄膜的性质研究.pdfVIP

高技术通讯 2014年 第24卷 第9期：971～974 doi：10．3772／j．issn．1002-0470．2014．09．014 用氢化物气相外延 (HVPE)法生长的氮化铟薄膜的性质研究① 俞慧强② 修向前③ 张 荣 华雪梅 谢 自力 刘 斌 陈 鹏 韩 平 施 毅” 郑有蚪 (南京大学现代分析中心 南京210093) (”江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京大学电子科学与工程学院 南京210093) 摘 要 在 自制设备上用氢化物气相外延(HVPE)方法在 一A10，以及GaN／ot-A1：0，衬 底上生长了InN薄膜，并对其性质进行了研究。重点研究了生长温度的变化对所获得的 InN薄膜的影响，并利用x射线衍射研究了InN薄膜的结构，用扫描电子显微镜研究了其 表面性质，用霍尔测量研究了其电学性质。x射线衍射的结果表 明，直接在 d—A1O，上生 长得到的是 InN多晶薄膜；而在 GaN／a—A1：0 上得到的InN薄膜都只有 (0002)取向，并 且没有金属 In或是 In相关的团簇存在。综合分析可以发现，在650％时无法得到 InN薄 膜，而在温度 550oC时生长的InN薄膜具有光滑的表面和最好的晶体质量。 关键词 氮化铟(InN)，薄膜，氢化物气相外延(HVPE) 为一种获得 InN衬底的低成本方法 。不过，到 目前 0 引 言 为止，使用 HVPE方法获得 InN薄膜的研究很少。 因为氨气在低温下的分解率很低，而 InN在较高的 氮化铟(InN)材料在近年来引起 了广泛的关 温度下容易分解，所以生长温度是决定薄膜质量的 注，这种材料在制造高频电子器件、红外光发射器以 一 个关键参数_5]。本研究采用 自制 HVPE设备生 及各种传感器上有突出的优点。由于InN分解温度 长了具有较高质量的InN薄膜，并分析了其结构、电 较低，生长时需要很高的氮分压，因而获得 InN体材 学和表面特性，重点关注了生长温度对薄膜性质的 料很困难 。因此，没有 InN体材料作衬底 ，只能通过 影响。 异质外延方法生长 InN薄膜 ，目前多数是在氮化镓 (GaN)衬底上生长。各研究小组尝试 了多种获得 1 实 验 InN薄膜的方法，包括分子束外延 (molecularbeam epitaxy，MBE)¨ 、金属有机物化学气相沉积 (met- 本研究采用 自制 的水平式氢化物气相外延 al—organicchemicMvapourdeposition，MOCVD) 及 (HVPE)设备来生长InN薄膜。金属In和氨气分别 氢化物气相 外延 (hydridevapourphaseepitaxy， 用作 In源和N源，氮气用作载气。HC1气体和金属 HVPE) 圳等。利用 HVPE方法生长速率很高 ¨， In反应把 In原子输运到生长区域。衬底分别选用 可以获得高 晶体质量 的宽带 隙氮化物厚膜材料 仅．A10 以及 用 金 属 有 机物 化 学气 相 沉 积 (GaN和 A1N)。因此，本研究使用 HVPE方法来生 (MOCVD)方法生长在 0．／．A10 上的GaN薄膜。生 长 III族氮化物 中的InN。HVPE方法无碳污染，由 长温度范围为500～650~C；生长时间保持一致，都 于采用 HC1作为源气体，生长过程具有 自清洁作 是30min。HC1气体和氨气的流量分别为 21／m和 用，不会产生金属 In沉积。由于 HVPE方法采用金 40ml／m，并在整个生长过程中保持不变。生长结束 属源和常压生长，成本低，生长速率高，很有希望成