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第19卷第5期 传感技术学报 V01．19No．5
CHINF。$E OFSENSORSANDACTUATORS
2006年10月 JOURNAL 0ct．2006
and
onMechanicalofSiliconNitrideThinFilm
Study Property
the inRFMEMSSwitches
Application
yU 2
Yingh，WUQing-xinl，LUOZhong-zi
ElectronicScienceand
of 350002，China5
，1．Depantment APPliedPhysics，FuzhouUniversity，Fuzhou 、
＼2．SA MicroelectromechanicalResearchCenter，Xiamen 360005，China／
Peng-tung Systems University，Xiamen
Abstract：SiliconnitridethinfilmiSoftenusedinMEMSdevicesasstructurebecauseofits densi—
part high
and siliconnitridefilmswere PECVDmethod．Thetestof Modules
ty strength．The by Young’S
prepared
andhardnessonsiliconnitridefilmswerecarriedon．The between
relationshipYoung’S
nessand flowratiowas RFMEMSswitchwasfabrica—
depositiontemperature，reactiongas analyzed．The
ted asfixed-fixed
siliconnitride beam．
using
nitridethin
words：silicon switches
Key film；Young’SModules；M[EMS；RF
E]巳峋C：TN405
于 映¨，吴清鑫1，罗仲梓2
(1．福州大学物理与信息工程学院，福州350002，2．厦门大学萨本栋微机电研究中心，福建厦门361005)
摘 要：氮化硅薄膜具有致密的结构、高强度和良好的耐磨性能，可用于MEMS器件中作为结构部件．本文采用PECVD法
制备氮化硅薄膜，对氮化硅薄膜的杨氏模量和硬度进行了测试，并分析了沉积温度、反应气体流量比对薄膜杨氏模量和硬度
的影响．应用氮化硅薄膜作为悬梁，制作了射频MEMS开关．
关键词：氮化硅薄膜；；杨氏模量；MEMS；射频开关
中图分类号： 文献标识码：A
氮化硅薄
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