理想导体目标近场及表面场分析.pdfVIP

理想导体目标近场及表面场分析4 张新军，梁昌洪，史小卫 (西安电子科技大学微波电信工程系，西安，710071) f摘要】本文应用正弦反应方法分析了理想导体日标的表面场及近区场。选择了横向 余弦分布的分段正弦基(PWS)，使得同一平面面元之间的自，互阻抗表达式成为一重积 分，提高了精度、加提了运算速度，此外面无的表面场也可以闭式得到。研究了利用 面元的几何位置快速填充阻抗矩l：车_的方法．『司时提出用Gauss积分求解非热面商元之 闯互阻抗的方法。最后给出数值实例，计算了理想导体弯曲平板及立方体在平面波照 射下表面电流及表面场，并与脉冲基、点选配的矩量法进行了对比，结巢表明本文方 法的正确性及优越性。 1引言 矩量法是求解羁毫示电磁散射问题的经典方法。当我们选择脉冲基、点选配结合电 场积分方程(EHE)分析具有{奉结构(ClosedONect)RJJ目标时，编程之前的推导工作是相 当烦琐的【l】，此外分段多和内存需求大也是上述方法的主要缺点。反应方法足由Rumsv 本文将这～技术应用到近场和表面场的分析巾，我们选用J 正弦函数作为基函数。园为当分段正弦基函数用于线结构和面结构模型中时，线结构 的近场和阻抗矩阵元素都是解析表达，而对于面结构仪有近场可以用复指数积分表达 【5】。在矩量法的计算中，最主要的任务是填写阻抗矩阵元素。一般情况下，求解互阻 抗需要四重积分，对于选择PWS出于场可以闭式表达，所以只烦二重积分。然而，二 重积分在数值计算中仍然需要尽力回避。当选择横向是余弦分布的PWS基时，我们给 出了用～重积分表示的阻抗矩阵元素表达式f6】，这一表达式适用于I司平面的矩形碰元， 由于奇点得到了解析处理，所以计算自阻抗和相邻面元之问的互阻抗荐足够的精度。 此外，本文研究了面元之l葡的位置关系，只须计算少量的矩阵元素，其余元素可以通 过对称获得，减少了计算时问。 本文选择横向为余弦分布的PWS基还有一个优点，即面元丧两的场rj以解析获 得。在复杂电磁环境的[U磁兼容分忻。h荣r竖特定}ir况下这点尤为重要。数值实例给 出了理想导体目标的表两∽向电场，{战俘荇口阳j义献雨鼻尚无类似结果发嵌。所得结 果同脉冲基、点选配方法的表面切向场f7]进行_，刈比，指旧本文方法的正确性及优越 {蔓。 +国家自然科学基金资助项日f6987t。21、 一19— 2理论 2．1正弦反应方法 考虑目标为体结构，把面结构划分成面元之后．我们有【2】【3】， ∑，．C。=A。 搠=l，…，Ⅳ (1) H=I 其中 c。。=一jfJ。·豆。出 A，=jj-7，-R,as ，。是面元电流函数的系数，j．是面元的电流密度矢量。或是面元刀在面元脚处产生的 电场。巨是八射电场。 22横向余弦分布的PWS基 如图1所示面元，我们选择基函数为； …PIJsi、nl。：l‘,h一㈨ t纠(2) J。m=—2si地nkh墅,sLinkw 选取这样的基，使得求解共面阻抗元素时的积分成为一重数值积分【61。同时近场尤其 是表面场可以由复指数积分表示【5】。这一点优越于横向常数分布的PWS基【3】。 f 壁 网 图1横向余弦分布的PWS基示意图 图2面元的一种典型划分 23 Gauss积分和阻抗矩阵的填充 当两个面元位于不同的平面时，互阻抗只能通过二重积分获得。为了提高积分速 度，我们选用Gauss积分，取”=6时就能满足精度要求。如图2所示平面上划分了12 个面元，按照面元位置固有的关系，144个矩阵元素中只须求解18个元紊A．R，节约 了计算时间。注意到矩阵为对称阵，表l给出了填充细节。 3数值结果 3I平面波照射弯曲理想导体平板 如图3所示，平面波照射90度的弯曲导体板，三个方向的尺寸都是1个波长。图 5和图6分别给出两种方法下的z方向电流的实部。囤7和图8给出两种方法的z向切 向电场。 一Z0一