仪器分析教程 教学课件 作者 陈集朱鹏飞 主编 第7章 核磁共振波谱－仪分教程 第7章 核磁2－仪分教程.pptVIP

尚辅网 尚辅网 第7章 核磁共振1H谱 7.3.1 屏蔽效应 7.3.2 化学位移及其表示方法 7.3.3 影响化学位移的因素 7.3.4 各类H核的化学位移 7.3.1 屏蔽效应（shielding effect） 此式表明，若固定射频 v0，改变外磁场强度，产生共振吸收的场强仅仅取决于? 。 ? 增大，所需 B0 增大; ? 减小，所需 B0 减小。 在化合物中，不同基团上的 H 核的化学环境不同，其外围的电子云密度不同，故它们的? 也不同。 当用固定频率的射频照射时，不同H核共振所需要的外磁场强度B0也不相同。 因此，不同化学环境的 H 核的共振峰将出现在 NMR 谱图上的不同磁场强度的位置。 例如，CH3-CH2-Cl 中，两种不同环境的H核将不同场强处产生共振吸收峰。  由此可得出以下结论： 如果H核外围的电子云密度减小，则其屏蔽效应减小， ? 减小，实现共振所需要的外磁场B0亦减小，共振峰出现在低场。 如果H核外围的电子云密度增大，则其屏蔽效应增强， ? 增大，实现共振所需要的外磁场B0亦增大，共振峰出现在高场。 7.3.2 化学位移及其表示方法 分子中处于不同化学环境的氢核的外围电子云密度不同，使它们产生共振需要不同大小的外磁场强度来抵消屏蔽效应的影响。 当用同一射频照射样品时，样品分子中处于不同化学环境的氢核 ，所产生的共振峰将出现在不同磁场强度的区域。这种共振峰位置的差异称为化学位移。 一. 化学位移的表示方法 用待测核共振峰所在位置的场强 Bs 和某标准物质磁性核共振峰所在位置的场强 Br 进行比较，用这一相对位置来表示化学位移 ：δ＝（Bs－Br） Br 亦可表示为： δ＝（vs－vr） vr 样品核和标准核的共振频率虽有差异，但都在仪器射频附近变化，相差仅约万分之一 。 为了表示方便，通常用下式计算化学位移： δ＝(（vs－vr） v0 ) ×106（ppm） 二. 标准物质 规定 ? TMS = 0ppm，在其左侧的峰的 ? 为正值，在其右侧的峰的?为负值。  解： δ＝(vs－vr)/ v0×106＝60/（60×106）×106 ＝1（ppm） 例2 . 当 v0= 100MHZ时，若样品 H核的化学位移为 1ppm，其共振峰与TMS 峰的频率差为多少？  由此可见， 对于60MHZ的仪器来说，1ppm 相当于60HZ， 对于100MHZ的仪器来说，1ppm相当于100HZ， 对于500MHZ的仪器来说，1ppm相当于500HZ …… 结论： 随着照射频率的增大，NMR谱图横坐标δ的单位长度也相应增大，这意味着谱图上各峰间距离增大，分辨率提高。  解：v0＝60MHZ 时，δ 1＝⊿v /v0 ×106 ＝2.23（ppm） 当v0＝100MHZ 时，δ 2 ＝⊿v /v0 ×106 ＝2.23（ppm） 即 ： δ1＝ δ2 结论：在不同射频的仪器上测得的同类 H 核的化学位移值相等。  例4. 当v0＝60MHZ时，样品 H核与TMS 峰 的频率差⊿v1＝180HZ，若改用照射频率为100MHZ的仪器，该样品 H核与TMS 峰的频率差为多少？ 解：  例4. 当v0＝60MHZ时，样品 H核与TMS 峰 的频率差⊿v1＝180HZ，若改用照射频率为100MHZ的仪器，该样品 H核与TMS 峰的频率差为多少？ 解： δ1＝（180 /60×106）×106 ＝3.0（ppm） δ2＝（⊿v2 /100×106）×106 ＝3.0（ppm） 故 ⊿v2＝ 300 HZ 三. 1HNMR谱图示例 乙苯的1HNMR谱图如下： 7.3.3 影响化学位移的因素 factors influenced chemical shift  在 H-CH3 中： ?