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二元氮化物的普适性合成方法及X射线衍射研究 宋波，1简基康，。2王刚，1许燕萍，’陈小龙卜 1北京凝聚态物理国家实验室，中国科学院物理研究所，北京，100080 2新疆大学物理学院，乌鲁木齐，830046 氮化物是在工业上具有广泛用途的一大类材料，其中III-V族氮化物AIN具有低热膨胀 系数(4．3×10弗K’)、高热导率(320WmhK。)、宽带隙(6．2eV)、高电阻(i0¨m)、低介 电常数(8。6)等诸多优点，作为衬底材料和包装材料广泛应用于电子电路、紫外光电探测 器、压力探测、热辐射探测、场效应晶体管等领域，在军事和民用方面都具有广泛的应用[1]。 一些过渡族金属氮化物例如VN、TiN、NbN、ZrN，具有优良的耐摩擦性能、高硬度、高反射 系数、化学惰性，目前这一类材料已经在高温结构陶瓷、催化剂、涂层材料、以及微电子工 业的材料封装等方面得到了广泛的应用。 然而，目前工业上获得氮化物主要是在大于1000。C的高温下，采用金属单质或者无水 金属卤化物直接与氮气或者氨气发生反应来制备氮化物。这个过程需要较高的温度和较长的 时间，产物还需要进一步在氮气或者氨气的气氛中长时间退火来提高产物的结晶。近年来发 展起来的碳热还原过程制备金属氮化物，仍然需要较高的温度，例如碳热还原过程制各AIN 需要在大于1300。C的温度下进行，制约了这种方法的推广和普及。另一种由美国研究者 Kaner等发展起来的制备氮化物的所谓同相置换法(Solid-statemetathesis，SSM)，由于 该过程所使用反应物极易吸水，全部操作必须在惰性气体保护下进行。同时反应迅速，放出 大量的热。使一些低熔点的氮化物发生分解因而大大地限制了这种方法的通用性[2]。去年， 我们小组报道了一种以碳氮化合物为氮化剂的合成氮化物的jr：作，引起了广泛的关注[3]。 最近，我们研究小组又发展了一种新的普适性的制备二元氮化物的方法，成功地获得了包括 YbN，ErN，SmN和HoN在内的多种氮化物，该合成方法简单，容易，可以迅速获得大量高 纯的氮化物，有着广阔的应用前景。详细工艺过程见相关报道[4—6]。图1是实验中合成的 GaN，AIN，TiN和VN的XRD谱图，从图中可以看出，得到了相应的单相物质。图2是反应 得到的TiN样品的SEM照片，从图中可以看到样品颗粒尺寸均匀。 参阅文献 [1]Janes．RA，Low．MA，etal，Inorg．Chem．2003，42，2714． [2]R．B．Kaner，etal，Nature1991，349，510． ．255． to [4]B．Song，J．K．Jian，G．Wang，X．L．Chen，submittdAngew．Chem．Int． [5]发明专利：采用金属氧化物制备镧系氮化物的方法，陈小龙，宋波，简基康，王 燕萍，申请号：200610083451．1 [6]发明专利：采用氧化物制备氮化物的方法发，陈小龙，宋波，简基康，-王BI]，许 申请号：200610083453．0 —’ 鼍 ∞ 釜 ’历 C 旦 三 2-Theta(deg) 图1 图2 -k联系作者。电话：010E-mail address：then29@aphy．iphy．ac．ca ．256．