一维CuO纳米针材料地直径可控制备研究.pdfVIP

刘日利等：一维Cu0纳米针材料的直径可控制备研究 一维CuO纳米针材料的直径可控制备研究术 刘日利，陈 文，戴英 (武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室，材料科学与工程学院，湖北武汉430070) 摘要：采用脉冲电沉积技术在金属cu基板表面电沉 新都，成都)。电源的输出电流采用矩形波。阳极采用 积纳米晶Cu薄膜，在空气中采用热氧化法制备出一维 金属cuO纳米针材料．实验研究了脉冲电沉积参数(输 出脉冲频率，和占空比r)对电沉积纳米晶的微结构和 基板需进行预处理：通过不同型号的金相砂纸打磨至一 晶粒度的影响，发现一维CuO纳米针的根部直径与电 定粗糙度，或者进行金相样品的抛光处理。 沉积纳米晶Cu的晶粒度完全一致．通过调节脉冲电沉 积参数，能控制电沉积纳米晶cu的晶粒度，进而实现 一维CuO纳米针材料的直径可控分布． 关键词： 一维CuO纳米针；纳米晶；热氧化法；脉冲 电沉积；直径可控 中图分类号：1lQl53；TB383文献标识码：A 文章编号：1001．973l(2007)增刊．2257．04 电沉积过程是在室温下进行，电沉积的时间为5IIlin。 l 引 言 在保持其它电沉积条件不变的情况下，重点研究脉冲电 沉积参数(输出脉冲频率，和占空比r)对电沉积纳米 Cu0作为一种窄禁带(1．2eV)的p型半导体材料， 晶的微结构和晶粒度的影响，主要步骤包括： 是一种良好的Mon绝缘体(过渡族金属氧化物)，也是 (1)在其它条件不变的情况下，保持占空比为 高温超导体中的基本组成单元，引起了广大学者的极大 关注【1，21。目前，CuO材料在很多领域都有着广泛的应 500，1000，20(，DHz： 用，如气体传感器‘31、磁存储介质Ⅲ、太阳能转换器‘51、 (2)在其它条件不变的情况下，保持输出脉冲频率 电子材料旧、半导体材料‘71等。 ． 一维CuO纳米结构(纳米线、纳米棒、纳米针等) 将电沉积后的Cu纳米晶层的铜合金基板放入普通 由于可以作为纳米器件和精密的纳米体系而备受关注。 箱式电炉中在700℃温度下加热，保温lh，然后自然冷 当前，合成一维CuO纳米材料的主要方法有：热裂解 却到室温。可以发现在基板的表面覆盖一层金属氧化物 CuC204前驱体‘引、液相化学法一1以及热氧化Cu基板或 材料，将其剥离收集用于材料的表征与测量。 Cu箔等口o_131。其中热氧化法是目前合成一维Cuo纳米 电沉积纳米晶层和氧化物纳米针的形貌特征利用 材料的重要方法，采用该方法将Cu基板、Cu箔或者透 SEM，FEI， 场发射腔扫描电镜(FEG．SEM)(Sirion 射电镜用Cu微栅置于不同的氧化环境下都可以制备出 Nemerlands)、透射电镜(．IEM)(JEM 一维CuO纳米线材料。 由于脉冲电沉积技术可以获得直径为6～100nm之 J印强)进行表征。其晶体结构利用