大面积厚灵敏层硅PIN探测器的时间响应和C60Oγ灵敏度测量.pdfVIP

大面积厚灵敏层硅PIN探测器的 时间响应和凹1，灵敏度测量 胡孟春1叶文英2周殿忠1 (1中榜院糖暂理与化学研究所．端阳919信蓿212分葙．6219002中钧院电子工程研兜所621900) 摘要：士曲h唧一硅PIN半导体探测器是近年国内新研制的大面积高灵敏度撵测器，我们用万居级的[溅射源测量了该 类探测器的四T灵敏度，用ciE脉冲辐射源(平均能量约o．2WeV，脉冲宽度为2．2rIs)测量了该类探测器的时间响应．实 验和理论计算表明：该类探测器的甜丫灵敏度约为5X10”。6C耐，MeV．脉冲响应上升时间约为10ns，半高宽时间约为35ns． 关键词：PIN探测器{灵敏度；时间响应 1． 引言 敏度约为10“。～10“6n一／MeV，测量脉冲T的能注量率一般为10“～10“MeV S-Icm～。本探测器灵敏面积的 直径到达巾一，全耗尽层厚度600Rm，理论计算表明：由于该探测罂灵敏面积大，全耗尽层厚度厚，探测 s cm 器的灵敏度可提高到10“5C耐，MP，可以剥量的脉冲懒射能注量率低于10“Mev2。本实验工作是 测量该类探测器的凹T灵敏度，井测量其时间响应特性。 2．c警T灵敏度计算与测量 2．1PIN探测器的灵敏度计算脚 御=如×睾x三 这里￡(丘》一为探测器对能量为E的侑射的能量灵敏度(c．cm。／MeV)： 2)： A。∥—_为PIN接收入懈射的有效截面(cm 历一为入射7与探测器灵敏层物质作用后在灵敏层中沉积的能量，用MCNP[41计算： E一为入射侑射能量： ∞—硅中产生出一个电子空穴对需要消耗的平均能量，PIN取3．62x10“MeV； C， e一电子电荷1．6×lO“9 z／MeV 由上式计算表明：巾。。。P硅PIN探测器的C竽T灵敏度为：4．85x10_15C．Cm 2．2c掣7灵敏度的测量 2．2．1测量原理121 (并为稳态辐射T源．以此为源测量的探测器能量灵敏度S(E)可用下式表示： ‘ ， 吖E1=—二_一 ‘。 y(E) (2) 团I探测器灵敏度测量系统示意图 车工作袭中嗣工程暂理研究院J09专鹱谭矗资助· 蝌盂春(1963一)．男．湖南株湘^．副研兜员，研士．乩事粒子探测技木研兜．曾获国防科工委科技进步=萼奖2项·三辱奖5项 694 P(E】为探测器有效表面处的能注量率，由积分剂量片测量得出，，为入射侑射引起的探测器 输出电流。图l为测量系统示意图。 PIN探测器的暗流一般为10～～lO—A，用放射源测量其灵敏度，必须使探测器输出的电流比暗流大， 为达到次目的．可采用两种措施：选择大强度的放射源或降低探测器的暗流。本次实验采用后一种措施， 所用的掣Y放射源强度近万居里，源形状为园棒性．规格为中-—，s“，探测器距离棒源140cm．积分剂量片 i09MeVs．1cm2。 测得探测器测点处的Y能注量率为：3．21x 2．2．2测量结果 测量了10个巾e“。。m。型PIN探测器，测量处理结果见表I。 输出电流 能量灵敏度 高压 探测器编号 (A)