非制冷红外探测器用BST薄膜的制备与性能研究.pdfVIP

1344 功 能 材 料 2004 年增刊 （35 ）卷 非制冷红外探测器用BST 薄膜的制备与性能研究 ∗ 吴传贵，刘兴钊，张万里，李言荣 （电子科技大学微固学院，四川 成都 610054 ） 摘 要：利用传统陶瓷工艺制备出 BST （65/35）倒 数），第二项表示介电常数随温度变化而产生的热释 筒靶，采用射频溅射法沉积薄膜。开展了对 电效应。在介电辐射计中，通常本征热释电系数小于 Pt/Ti/SiO2/Si 基底热处理工艺与 BST 同质缓冲层研 由介电常数随温度变化而决定的热释电系数，热释电 究，总结出了可以确保基底界面性能良好、BST 薄膜 系数主要由第二项决定，所以，介电辐射计也被称之 结构致密的工艺方法。介电性能测试表明：BST 薄膜 为“ 电场增强型热释电探测器” 。 的介电常数约为60~70，介电损耗为1.5%~2.5%，居 里温度为284K ，介电温度系数 （TCD ）为0.5% 。漏 电流测试表明：在 1MV/cm 电场下，漏电流密度为 1.9×10-6 2 A/cm 。 关键词：BST 薄膜；射频溅射；低温沉积；红外探测器 中图分类号：TN384 文献标识码：A 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊 1 引 言 单片式非制冷红外焦平面阵列（UFPA ）技术的 图1 铁电材料自发极化强度、介电常数与温度的变 发展需求对开发新型性能优良的铁电薄膜及其低温 化关系[2] 制备技术提出了迫切要求，由于 （BaSr ）TiO3 （简称 Fig 1 Temperature dependence of spontaneous polariza- BST ）是一种性能优良的铁电材料，适当组分BST 的 tion and dielectric constant 居里温度 Tc 位于室温附近，材料优质因子高，制备 由式 （1）可知：对于同种材料，工作在介电辐 技术简单，能够满足高性能Si 基集成UFPA 的要求。 射计模式下的热释电探测器有更高的红外响应。传统 根据居里温度与器件工作温度的选择，铁电红外 的热释电模式的热释电系数主要依赖于薄膜材料本 焦平面阵列具有两种工作模式： 身的性质；介电辐射计模式的热释电系数主要由外加 （1）以PbTiO3 （简写为PT ）和Pb （ZrTi ）O3 （简 电场 E 、介电常数随温度的变化率∂ε 这些较易实现 写为 PZT ）为代表，其居里温度远远高于工作温度， ∂T 这种工作模式通常称之为“传统的热释电探测器” 。 的外加条件决定。所以，工作在介电辐射计模式下的 （2 ）以(BaSr ）TiO3 （简写为BST ）、Pb(ScTa)O3 （简写为PST ）为代表，工作在居里温度附近。当温 红外探测器可以获得更好的性能。 度变化时，其介电常数ε产生剧烈变化，如图1 曲线 2 Pt/Ti/SiO /Si 基片热处理 2 B 所示。利用该性质工作的红外探测器通常称之为介 电辐射计[1] 。在外电场作用下，热释电系数为： 虽然在低温下制备的Pt 电极具有晶粒细小、表 ∂D Ε ∂ε 面光滑及高度 （111）取向等特点，但是有文献