Mn注入n型Ge单晶的磁性探究.pdfVIP

刘力锋 等：Mn 注入n 型Ge 单晶的磁性研究 1219 Mn 注入n 型Ge 单晶的磁性研究* ∗ 1 1,2 1 1 1 刘力锋 ，陈诺夫 ，尹志岗 ，杨 霏 ，周剑平 （1 中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室，北京 100083 ； 2 中国科学院力学研究所 国家微重力实验室，北京 100083 ） 摘 要：利用离子注入方法，以离子能量为100keV ， 出了接近室温的铁磁特性和磁阻现象，认为是由于 剂量为 3 ×1016cm-2 ，室温下往n 型 Ge （111）单晶 Mn 相关的铁磁性第二相引起的[7] 。目前基于Ge 的铁 衬底注入Mn+ 离子，注入后的样品分别在400℃和600 磁性半导体的研究还很不充分。 ℃氮气氛下进行热处理。利用交变梯度样品磁强计室 本工作采用高能离子注入方法在室温下将 Mn＋ 温下对样品进行了磁性测量，利用X 射线衍射法分析 离子注入到Ge 单晶衬底，然后进行了不同温度下的 了样品的结构特性，俄歇电子能谱法分析了热处理样 热处理，热处理后的样品表现出室温下铁磁性。 品的组分特性。磁性测试结果表明热处理后的样品表 2 样品制备 现出室温下的铁磁性。结合样品的组分、结构特征进 行磁性分析后认为样品在热处理后形成铁磁性半导 实验采用高能离子注入设备将 Mn＋离子注入到 体 Mnx Ge1-x 结构可能是样品表现室温铁磁性的主要 Ge 单晶衬底。所用衬底为n 型Ge(111)单晶片，电阻 原因。 率约为 10～20Ω ·cm 。为除去衬底表面的污物、重金 关键词：离子注入；铁磁性；Mnx Ge1-x 属离子和氧化物，在实验之前对Ge 衬底进行清洗和 中图分类号：TN304.7 文献标识码：A 腐蚀。清洗按照去离子水、无水已醇、丙酮、四氯化 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊 碳的顺序进行超声清洗 10min，再按相反的顺序超声 清洗 10min 。然后在H O ∶HF ∶H O ＝1 ∶1 ∶4 腐蚀 1 引 言 2 2 2 液中腐蚀2min 。将清洗腐蚀好的Ge 单晶片送入真空 铁磁性半导体结合了半导体的电荷传输特性以 室(真空度1×10-5Pa) 。样品生长时衬底温度为室温， 及磁体的信息存储特性，是制备自旋电子器件和磁电 注入的离子能量为 100keV ，离子剂量为3 ×1016cm-2 ， 子器件的重要材料，在磁传感器、磁记录以及未来的 注入过程中离子束流为～150 μA 。注入后的部分样品 量子计算和通讯领域都有良好的应用前景。对于铁磁 分别在 400 ℃和600 ℃下进行热处理。热处理在氮气 性半导体研究较多的是A II Mn BVI 和A III Mn BV , 气氛下进行，时间为 1h。为了防止样品生长面 Mn 1-x x 1-x x 其中 AII 、BVI 、AIII 、BV 分别代表 II 、VI 、III 、V 族 元素的挥发，热处理时将一个抛光后Ge 片置于样品 元素，Mn 替代其中的II ，III 族元素[1,2] 。基于Si 或 上方，不让生长面暴露在外。原位注入样品为样品1， G