氮化H2-O2合成薄栅氧抗辐照的研究.pdfVIP

氮化H2．02合成薄栅氧抗辐照研究 刘运龙刘新宇孙海锋海潮和吴德馨和致经刘忠立 (中国科学院微电子中心北京10029) (中国科学院半导体研究所：忙京100827) 摘羼：本文对氮化H2一02合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究，将H2．02合成和氮氧化栅两种技术结 化H2·q台成氧化二种方式及不同退火条件得出：氮化H2．02台成氧化方法抗辐照性能最佳、采用 硅化物J．艺+快速热退火是米来抗辐照工艺发展的趋势；并对氮化H2一02合成栅的抗辐照机理进行 了研究。 关●t词： 氮化H2．02合成抗辐照快速热退火 1引言 生大量界面态，冈而对器什辐照性能影响最大的是栅氧化层的辐照能力。1974年，AnbucbonK．G． 首次提出sio：的抗辐照能力与氧化条件有关。通过近几十年对栅氧化工艺的大量研究，得到了适用 丁加吲丁艺的氧化条件：低温H2一02合成氧化．严格控制栅氧前硅片的清洗处理和炉管清洗，选择 适当的退火条件．_jt=尽封减薄氧化层厚度。与于氧氧化相比，低温H：一02合成氧化有如F一些优点： 层中．在空穴运动到界面附近披空穴陷阱俘获之前，被电子复合的几率较大：(2)H2．02合成氧化的 温度仅850C，比干氧氧化的温度低得多，因此．产生的缺陷少，相应地由于辐射产生的陷阱电荷 f陷阱，它产生的负电荷积累补偿了一部分正电荷的作用。但H2-02合成氧化法本质上就是水汽氧 人。制备栅氧存在介质卉穿场强低、抗热电子效应差的缺点，随着器件尺寸的缩小，上述问题将严 重制约H2旬2合成氧化法在I。艺中的应用。 2氮化H2．02合成薄栅氧工艺 目前，国内外有关氮氧化栅的报道很多川12J，N20退火氮化氧化的栅介质同常规的氧化栅介质相 比，能有效地提高击穿特性、抑制热载流子效应和提高抗FN应力损伤。同时由于氢化促使Si．N键 代替Si-O键，抑制界面态产生，将可能提高抗辐射能力。但直接生长的氮化氧化栅存在自限制生长 特性，难蛆满足l。艺的要求。为此，我们将H2—02台成和氮氧化栅两种技术结合起来，充分利削两 ．507- 者的优点制成二层结构的Sandwich栅』3](见尉1)，可改善击穿特性和抗辐射能力。其中氮氧化栅 采用两步氮氧化法。其一l艺流程如下： HF，IPA清洗一--N20氮氧化栅3nm 850。C～一H2-02合成栅8rim 85012一一N20氮氧化栅 3nm 0C。 850℃一一退火N30’850 2 3哪氮化撇 8rrn氢氧自撵黻 3ran氮比黻 圈1三层结构的sandwich栅 3 S01 MOSFET拭辐照实验 我们采用常规氧化、H2-02合成氧化和氮化H2．02合成氧化三种方式进行18nm栅介质的生长， 电容进行辐照实验和研究，样品编号及MOS电容形成条件见表1。 表1 MOS电窖琚成条件 样品号 氧化方式 退火条件 14 常规氧化 热退火900℃30’ 2’ 常规氧化 R队975℃5” 3’ H2．02合成氧化 热退火900℃30’ 4” H2-02台成氧化 RTA975℃5” 54 975(25” H2-02合成氧化 硅化物．RTA 6# 氮化H2旬2合成