ZnO压敏陶瓷晶界势垒高度与宽度的研究.pdfVIP

第九届全国工程电介质学术会议论文集 233 7n0压敏陶瓷晶界势垒高度和宽度的研究 李盛涛，邹晨，刘辅宜 0049) (西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室，西安，71 摘要：ZnO压敏陶瓷优异的非线性电流电压特性起源于ZnO究弄清势垒高度(或活化能)的物理意义，进而更 晶粒间的晶界势垒，其主要表征参数是势垒高度和宽度。本 好地理解场助热激发电流和隧道击穿电流在整个 文通过测量商用ZnO压敏陶瓷材料的泄漏电流，与绝对温 晶界区域的传输过程。ZnO晶粒问的晶界区域的耗 度r的关系，利用场助热激发电流的表达式计算了势垒高度 尽层宽度可以通过C．V特性8或，一r特性o”，J1测量 (活化能)，发现它低于平衡状态时的势垒高度。在深入分 加以估计，但是C—V特性只能得出外施电压为零 析在电场作用下晶界区域中电子传导过程的基础上，认为这 时的耗尽层宽度。 是因为在电导过程中通过正偏势垒向晶界界面层中注入了 本文通过测量商用ZnO压敏陶瓷材料的泄漏 大量电子，这些电子不仅填充了在平衡状态下尚未填充的电 电流j与温度，的关系，利用场助热激发电流的表 子陷阱(即表面态)，而且还会在界面层形成自由电子空间 达式计算了势垒高度(活化能)，结合在电场作用 电荷t这些自由电子在越过反偏Schottky势垒时需要克服的 就不是平衡状态时的势垒高度，显然应低于平衡状态时的势 下电子传导过程深入分析了该势垒高度的物理意 垒高度，即导带底＆的最高点与费米能级目的差值(通常 义，认为该势垒虽然来自于反偏schottky势垒，但 势垒高度的定义)。另外，根据场助热激发电流的表达式， 是低于平衡状态时的势垒高度：研究了高场强和低 场强时的势垒宽度及其随温度的变化规律，结合介 提出了新的Schottky势垒宽度的计算公式，不仅求得了高场 强和低场强时的势垒宽度，而且得到了势垒宽度随温度的变 电温谱测量，研究了势垒区域的松弛损耗过程，以 化规律，发现了在320K一350K温度范围内势垒宽度下降速 更好地理解ZnO压敏陶瓷材料的非线性电导过程。 度最快，结合介电温谱测量，证实了在此温度区间势垒宽度 2实验 的快速下降是松弛过程引起的。这对于进一步研究和理解 ZnO压敏陶瓷材料的非线性电导机理具有重要意义。 试样为商用的ZnO压敏陶瓷(某公司试样，尺 寸：019．30×3 关键词：ZnO压敏陶瓷t势垒高度；势垒宽度 76rnm)，两面的端电极为烧银电极。 流过试样的直流电流为lmA时的电压定义为压敏 1 引言 ZnO压敏陶瓷是以ZnO粉料为主添加少量多 流电压【，F，测量通过试样的泄漏电流，。本文采 种金属氧化物，按照普通的电子陶瓷工艺经在空气 用归一化电压U表征外施电压，规定其值为外施直 中约1200℃高温下烧结而成的，具有优异的对称非流电压【，与压敏电压ul。lA的比值．即U=u／u。。 线性伏安特性和巨大的脉冲能量吸收能力，广泛地 对于同样一个试样，在某一归…化电压I,l下，在从 应用于电力系统和电子线路中保护电力设备和电 子元器件免遭过电压的