0.1微米电子束曝光实验装置的实用化的研究.pdfVIP

丝!!±!!! 苎±二生全苎皇三圭：苎主查：查三查量查±全 里坐：皇塑 0．1微米电子束曝光 实验装置的实用化研究 薛虹，顾文琪，张福安， 谭敏，唐晖，张今朝 (中国科学院电工研究所，北京2703信箱100080) 摘要：本文主要论述0．J微米电子束曝光机实用化研究的内容。简介系统的组成及达到的主 要性能指标． 关键词：电子柬曝光机；_T-艺实验 1引言 自90年代中期以来，以大规模集成电路为核心的现代微电子技术以飞速发展的态势，向着更高 集成度和超微细化方向发展，各种超高密度、高速度的微电子器件不断出现，促进了当代数字技术的 革命。 集成电路芯片图形特征线宽进A0．13微米以后．光学曝光将达到极限。下一代的曝光技术将是屯 子束曝光和x线曝光。必须指出，x线曝光仅仅用于图形的复印．而电子束曝光不仅仅用于制各掩模 版，而且更重要的是用于产生图形，被广泛用于量子效应器件、集成光学器件以及纳米结构等领域的 探索研究。因此，电子康曝光系统是纳米时代微电子产业的关键设备。世界各工业先进国家如美国、 英国、日本、德国投入了大量资金研究开发新一代光刻设备。“0．1微米电子束曝光实验装置”是为 电子束曝光机产业化而进行的关键技术研究。 2 0．1微米电子束曝光实验装置的主要技术指标 曝光最细线宽：O．08,am 阴极性能fLaB6)： 虽小电子束束斑：O．025I_tm 束流密度：90．339A／cm2 寿命：超过2100小时 扫描场(mrnxmm)：0．5×0．5；1．0×1．O；1．6×1．6 图形精度：优于O．1,urn 最大工件尺寸：6”掩模；5“硅片 定位精度：优于O．19m 片库容量：12片 3 O．1微米电子束曝光实验装置的 系统组成 图1为0．1微米电子束曝光实验装置的照 片。系统组成主要包括有： (1)LaB6阴极高亮度电子光学柱 (2)精密激光工件台 (3)计算机控制系统与软件 (4)数据传输与图形发生器 (5)各类精密电源 (6)超高真空系统。 图1 0．1微米电子束曝光实验装置 兰 苎!!量垒璺三查室堡!里!!：盛塑! !竺!±!!星 4 0．1微米电子柬曝光实验装置的关键技术研究 4．1独特的电子光学设计 采用相关的数学模型对电子光学系统进行评估及优化设计：采用透镜前双偏转器设计及线切割加 工工艺，缩短工件距离，减小总象差，使最小束斑0．0259m。 4．2LaB6高亮度阴极 最大束流密度：339A，crn2 阴极寿命：大于2100小时 4．3真空系统 采用二个离子泵、一个分子泵、一个机械泵的真空系统，使电子柱的真空达5xlo-8乇，有效地延 长了LaB6阴极寿命。 4．4工件台 激光工件台测量系统采用美国HP公司的5517双频激光干涉仪测量系统，测量分辨为,L64 (O．011．tm)。工件台的最大有效行程141mm。 4．5偏转放大器 采用低漂移、低噪声、高速双通道功率放大器，优化静态与动态参数，频响大于2MHz。 采用恒温措施提高稳定性，漂移1．5×106t8小时；噪声2001W。 4．6图形发生器 采用16位D／A和12位高速D／A，分别保证主场的位置精度和子场的快速扫描，另外还有3对12 位D／A分别对扫描场的增益、旋转和工件台跟踪进行校正。该图形发生器可产生矩形，如配备适当的 软件还可制作梯形、圆和圆环。 4．7校正系统 研制成功校正、对准、标记图形检测、数据转换等软件。 扫描场增益校正，旋转校正精度优于O．01斗m。 5电子束曝光试验 5．1电子束扫描场坐标系的调整 工件台坐标系、电子束扫描场坐