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大面积均匀纳米金刚石薄膜制备研究 龚辉 范正修 (上海光学精密机槭研究所，上海201800) 姜辛 CP．Klages offilm andsurface (Fratmhafer—IST engineering，Gel-many) 摘要 本文报道了一种利用偏压恒流等离子辅助热丝化学气相沉积方法在硅基板制备太面积均匀纳 米金刚石薄膜的新工艺，在不同沉积条件下研究了纳米金刚石薄膜的成棱和生长过程，并通过扫描电镜、 喇曼光谱和表面粗糙度测试仪观察了纳米金刚石薄膜的结构特征。最后成功制鲁了直径100毫米、平均晶 粒尺寸10纳米的光滑纳米金刚石薄膜。 关键词热丝化学气相沉积纳米金刚石薄膜 一．引言 金刚石薄膜与金刚石一样也具有很高的热导率、硬度和非常好的化学稳定性．以及优越的 光学特性．可广泛应用于各种光学器件中(如高强度光学窗口、半导体激光器热沉，高强 度光学薄膜以及x射线光刻掩膜等)，改进器件性能和提高抗破坏能力。但是，金刚石膜一 般都是多晶结构。有相对高的表面粗糙度，这是由于金刚石膜中的晶粒尺寸比较大，一般 晶粒平均尺寸在Ipm到几十微米之间。这将严重影响金刚石薄膜在光学方面和电子方面的 应用。为了克服这个缺点，必须减小金刚石膜晶粒尺寸。制各纳米级尺寸的金刚石薄膜将 成为非常有效的方法。纳米金刚石薄膜除了具有很好的表面特性外，还具有非常好的电子 发射能力川，在平扳显示器件中有很重要的应用前景。根据我们先前的研究【2t”结果表明， 采用偏压成核过程，并在金刚石膜生长过程中始终离子轰击基板可以产生大量二次成核， 金刚石膜晶相发生转变可以生成纳米金刚石，最近我们进一步研究证明了“1在微波等离子 增强化学气相沉积过程中，通过离子轰击二次成核成功制备了晶粒尺寸在lOnm的纳米金刚 石膜。微波法生长工艺制造成本高不能大面积成膜，尤其是不能均匀制各金刚石薄膜，在 这篇文章里，我们使用偏压辅助增强热丝化学气相沉积法在硅(si)基板上成功制备了大 面积(直径】00毫米)均匀分布纳米金刚石膜。 二．实验过程 图1显示了实验装置示意图，载物台和热丝之间加载一个直流负偏压，载物台采用了 150XO．5mm。的铝(Mo)片，并与反应炉体隔离以便加载负偏压，基板采用了 尺寸是120X P型(100)单晶硅(Si)片，厚度是0．525m并被紧密固定在载物台上。在沉积金刚石膜 前，sl片在酒精池中超声清洗20分钟。基板温度由置于载物台下方并与其紧密接触的热 电偶监测。实验中基板温度被固定在760(2，氢气(H2)和甲烷(CH4)的流量由特密流量 ．．132．． 计控制，以扩散方式从反应炉上部进八反应室，这些可以避免气体流动的影响，获得均匀 的气体合成反应沉积。 f )，·aJt o． 一E《D口l l 2Radial 1 set ofHFCVD Fig temperature Experimmttal Fig up 通过热丝温度分布场计算模型“I，计算了热丝几何尺寸及分布方式以便在4英寸Sj